同社初となるSiP製品、パワーステージICは650ボルト耐圧のGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)と同HEMTを最適に駆動させる専用ゲート駆動IC、周辺部品を一つのパッケージに同...

電源などを手がける台湾のデルタ電子の関連会社と、650ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を共同開発し、量産を始めた。

シャープは24日、大気中で電子を放出できるデバイスを搭載したイオン移動度分析(IMS)装置を開発したと発表した。

三菱電機はLow―Ku(13ギガヘルツ、ギガは10億)帯の周波数で動作する衛星通信地球局向け窒化ガリウム製高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT...

配向性は高く、方向によって電子移動度が3倍変化した。

この厚み数十ナノメートル(ナノは10億分の1)の薄膜でトランジスタを作製するとキャリア移動度やオンオフ比は高い性能を示した。

電子移動度が1ボルト秒当たり133平方センチメートルと市販のITOの6倍以上になった。電子移動度が高いと電子密度が低くても抵抗を抑えられる。

【用語】ダイヤモンド半導体=絶縁破壊電界強度や熱伝導性、キャリア移動度などの物性値が優れ、究極の半導体材料とされる。

OLEDのバックプレーンには電子移動度の高いLTPSなどが使われているが、G8でLTPSを本格的に作れているところはない。

有機トランジスタは100度C程度の比較的低温で、安価なフィルムを用いて常圧の印刷方式で大面積の製造もできる」 ―山形大との協力の狙いは。 ... 「有機半...

スイスのSTマイクロエレクトロニクスは、窒化ガリウム(GaN)製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を搭載した電源機器用集積回路(IC&#...

電子だけでなくホール(正孔)の移動度も同様に高く、熱伝導性に優れることから「これまでで『最良』の半導体材料ではないか」としている。... シリコンは現在主流の半導体材料だが、電子に比べ...

酸化物半導体の特性を生かしつつ、高移動度と低オフリーク電流を両立した。... 既存の酸化物半導体を用いたトランジスタは、大面積での製造が容易で低消費電力化が可能な一方、現在の中小型ディスプレーで主に用...

グラフェンは機械的特性のほか、電子の移動度が極めて高いといった電気的特性、熱伝導性などさまざまな性質に優れる。

データセンターなどの電源システム向けに、600ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を共同開発する。

電解液と電極表面が触れているためイオン移動度を損なわない。

絶縁破壊電圧は1700ボルトと大きく、500度Cの電流値は100万倍のオンオフ比を実現した。... 結晶の欠陥を抑制して電子移動度を高めた。 ... パワー半導体材料の中で窒化アルミ...

生産子会社のローム浜松(浜松市南区)にGaN専用ラインを導入、150ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を量産する。

広島大学の三木江翼助教と尾坂格教授らは、アモルファスシリコン並みの電子移動度をもつn型高分子半導体材料を開発した。... 有機トランジスタを作製するとアモルファスシリコン並みの電子移動度を確...

150ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)などを量産する。