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記事検索結果
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ガリウムヒ素とアルミニウムガリウムヒ素の高移動度半導体で素子を作り、高磁場下の極低温で量子状態を計測した。
東レは同技術を用いて、半導体中の正孔・電子の動きやすさ(移動度)が塗布型で世界最高水準の1ボルト秒当たり182平方センチメートルを達成している。
従来、酸化物TFTは移動度が高い材料は不安定という課題があった。... 高移動度の酸化物TFTは電圧の閾値が変動してしまう課題があった。... 移動度の高い酸化物半導体は電子を受け取りやすく、閾値が変...
イグゾーは固体中の電子の動きやすさを示す「電子移動度」が低くて省エネだが、周辺部分を動かすパワーが無い。 ... イグゾーより電子移動度が高くパワーはあるが安定性に欠けるため、より安...
ホール移動度は158平方センチメートル/ボルト秒、電気抵抗は0・00086オームセンチメートルと世界最高水準の電気特性が得られた。 PETはガラス転移点が70度Cと低く高温...
理化学研究所のキリル・ブルガレビッチ特別研究員と瀧宮和男チームリーダーらは、キャリア移動度が平均で32平方センチメートル/ボルト秒と高い移動度を誇る有機半導体材料を開発した。... 電流が流...
東京大学の小林正治准教授らは、神戸製鋼所とコベルコ科研(神戸市中央区)と共同で酸化物半導体「IGZO」トランジスタの移動度を2倍に高めることに成功した。... トランジスタはIGZOに...
【京都】ロームは150ボルト耐圧の窒化ガリウム(GaN)製高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、ゲート端子とソース端子間の定格電圧を業界最高レベルの8ボルトに高める技...
1秒間1ボルト当たり10平方センチメートルの高いキャリア移動度を両立。... 量産に適用している技術を生かして開発した新規構造を採用することで、弾性変形をしやすくし、耐久性、キャリア移動度との両立を実...
【さいたま】樫の木製作所(埼玉県越谷市、大隈浩社長、048・990・6540)とNextコロイド分散凝集技術研究所(茨城県つくば市)は、単層カーボンナノチューブ(...
さらに、この単結晶薄膜は微細加工しても高い性能(移動度)を示し、大気下の4・3メガヘルツ(メガは100万)で動作する高速n型有機トランジスタへ応用できた。 &#...
ダイヤモンド以上の硬さや熱伝導度、シリコンの100倍以上の電子移動度など優れた物性からエレクトロニクスデバイスへの応用が期待されている。 ... 二つ目は高電子移動度の実現にある。電...
高速で高い利得を持つインジウムリン製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)で増幅器ICを作製した。
移動度は基板の種類によらず、結晶の成長方位が重要であることが分かった。... だが、実用薄膜の移動度は1ボルト秒当たり10―40平方センチメートルと低く、材料本来の持つ性能を出せていなかった。 ...
性能を示す指標の一つである移動度は、電流を担う正孔の密度が高い領域で従来の3倍以上。高い移動度は、オン抵抗を下げて電力損失を減らし、また、高速動作や素子の小型化にも有利となる。 .....
