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GaNデバイスはGaNを使った高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、中継器と呼ばれる基地局設備の中で電波を増幅する。
米国で生産に乗り出すのは、GaNを使った高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、中継器と呼ばれる基地局設備の中で電波を増幅する役割を果たす。
半導体集積デバイスの応答周波数は、トランジスタで電場による電荷の移動のしやすさの指標「移動度」と、トランジスタ内で電流が流れる経路の長さ「チャネル長」に依存する。... 研究グループは開発した微細加工...
塗布型半導体として、半導体中の正孔や電子などのキャリアの移動度で世界最高レベルの1ボルト秒当たり182平方センチメートルを達成した。... 一方で、低コストで製造できる塗布型半導体は移動度が同20平方...
【京都】FLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区、人羅(ひとら)俊実社長、075・963・5202)は、独自の酸化ガリウム製半導体を用い、素子性能を表す移動度が一般の...
米電気電子学会(IEEE)は18日、富士通研究所(川崎市中原区)が開発した高電子移動度トランジスタ(HEMT)を「IEEEマイルストーン」に認定した。
富士通と富士通研究所(川崎市中原区)は5日、気象レーダーなどのパワーアンプ(増幅器)に使用されている窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ...
これを契機に物質最大のキャリア移動度、機械強度などグラフェンのず抜けた特性が次々に報告され、学術的な注目が集まると同時に、広範な分野での工業利用が期待されている。 ... その結果、...
大型商用バンを使った移動分析車には、大気やガス中の特定成分を測定するガスクロマトグラフイオン移動度分光計のほか、フーリエ変換赤外分光光度計、蛍光X線などを搭載。... 化学物質によるトラブル全般に対応...
三菱電機は2日、産業技術総合研究所と共同で単結晶ダイヤモンド放熱基板を使ったマルチセル構造の窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(GaN―HEMT)を世界で初めて開発したと発表した...
GaNの表面に加速器でMgイオンを打ち込んだ後、窒素で満たされた空間内を1万気圧に高め、1480度Cで15分間熱処理した。... 縦型GaNパワーデバイスと横型GaN系高電子移動度トランジスタ(...
東京工業大学の王洋博士研究員と道信剛志准教授らは電子移動度の高い高分子トランジスタを開発した。電子が流れるタイプの高分子材料としては電子移動度が1ボルト秒当たり7・16平方センチメートルと世界最高クラ...
コベルコ科研(神戸市中央区、宮脇新也社長、078・272・5915)は、液晶ディスプレーに使われる酸化物半導体「IGZO」の2―3倍の電子移動度を実現した酸化物半導体用成膜材料を開発し...
SiCは優れた物性の半導体である反面、金属−絶縁膜−半導体(MOS)構造のトランジスタに用いる場合は、絶縁膜を高電界から保護する必要があり、またMOSチャネル移動度をいかにして向上させ...
東レは29日、単層カーボンナノチューブ(CNT)を使った塗布型半導体で、半導体中を電子が流れる速さを示す移動度が従来比約1・4倍の1ボルト秒当たり155平方センチメートルを達成したと発...
人工衛星における次世代パワーデバイスの適用例としては、GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)が14年5月に打ち上げられた「だいち2号」のSARアンテナの増幅回路に適用されている。
