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記事検索結果
231件中、5ページ目 81〜100件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.008秒)
それぞれ電子移動度は1ボルト秒当たり180―200平方センチメートル、正孔移動度は同50―80平方センチメートルと窒化ガリウムよりも高い。
独自の高アイソレーション設計技術を用いたミキサー回路をインジウムリン高電子移動度トランジスタ(InP―HEMT)で実現。
東京工業大学物質理工学院の王洋研究員と道信剛志准教授らは、素子の性能指標となる高い電子移動度を持つ有機半導体高分子を作り、これを使って高性能な有機トランジスタを開発した。... この結果、電子移動度の...
銅・スズ・ヨウ素の3元素で構成され、材料中を正孔が移動するp型半導体として機能する。移動度は6―9平方センチメートル/ボルト秒と高い。... 電子が移動するn型半導体では、細野教授らが透明な...
東レは13日、塗布型の半導体型単層カーボンナノチューブ(CNT)で、業界最高の移動度となる毎秒1ボルト当たり108平方センチメートルを実現したと発表した。... 従来より50%...
従来、非晶質で8%を超える変換効率を得ることは難しかったが、電子の高移動度化で変換効率の向上を達成。... 研究グループは、高変換効率の結晶性ポリマー材料が、薄膜活性層の電子と正孔(電...
高電子移動度トランジスタ(HEMT)の発明で情報通信技術の発展に貢献した三村氏は「失敗があったからこそ有用な情報に気が付けた」とこれまでの研究について語った。
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東芝は、パワー半導体向けの炭化ケイ素(SiC)トランジスタについて、素子の性能指標である「移動度」を高められる新製造技術を開発した。... 界面の品質が向上し、従来手法に比べてチャネル...
◇先端技術部門(対象分野はエレクトロニクス)=富士通研究所名誉フェローの三村髙志博士(72歳、日本)「高電子移動度トランジスタの発明とその開発による情報通信技術...
ゲルマニウム単結晶の薄膜化によって、半導体素子としての性能指標である電子移動度が2倍以上に高まる。... ナノメートル寸法の均一なゲルマニウム薄膜を絶縁膜で挟むと、ゲルマニウム薄膜中の電子移動度が向上...
ランタンやイットリウムなどを候補として、添加元素の相転移温度や酸素イオン移動度などへの影響を網羅的に計算した。... 計算結果に従い新物質を合成したところ、高いイオン伝導度を確認した。100時間、50...
電子移動度が高く、小さなトランジスタで大電流を流せる独自の酸化物半導体「OSFET」を駆動回路に採用。... 合わせて独自の有機EL材料を採用して色の表現度を向上し、色域規格である「BT.20...
トランジスタの性能指標である移動度を低下させず、バンドギャップを大きくできたことで、高性能トランジスタが実現した。 ... しかし、黒リンは空気中の水分と反応すると、移動度などが劣化...
【81平方センチメートルを実現】 東レはCNTで薄膜トランジスタ(TFT)を成形し、電子移動度が塗布型TFTとしては世界最速レベルの1ボルト秒当たり81平方センチメー...
東レは2日、塗布型の半導体型単層カーボンナノチューブ(CNT)で従来比2倍の移動度を実現したと発表した。... これにより塗布法で作成した薄膜トランジスタ(TFT)の移...
三菱電機は12日、次世代移動通信システムに適用する、超広帯域の窒化ガリウム(GaN)製の増幅器を開発したと発表した。... 2017年度以降、出力電力や周波数が異なる、次世代移動通信シ...
GaNパワー半導体では、シリコン基板上に横型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)などを形成するデバイスは量産されている。 ... 素子の性能指標となる移動度...
ダイヤモンドは、パワーデバイス材料の中で最も高い絶縁破壊電界とキャリア移動度、熱伝導率を持つ究極のパワーデバイス材料だ。
理想的な単層CNTは、比重がアルミの半分で強度は鉄鋼の20倍、電子移動度はシリコンの約10倍。
