821を同オシロスコープにインストールすることで、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)のパラメーターや損失評価をオシロ内部で短時間で解析処理できる。 &...

送信機には窒素ガリウム系レーザーダイオード(GaN―LD)5個を使用し、光の高出力化とマルチビームを可能にして、水中で光線が不安定化する課題を解決。

【京都】ロームは窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体の量産体制を整えた。生産子会社のローム浜松(浜松市南区)にGaN専用ラインを導入、15...

次世代の窒化ガリウム(GaN)の単結晶ウエハーには三菱ケミカルや住友化学が、酸化ガリウムにはタムラ製作所子会社のノベルクリスタルテクノロジー(埼玉県狭山市)が取り組む。...

酸化ガリウムや窒化ガリウム(GaN)といったガリウム系の素材を用いて、不規則な変動電源に対して常に高効率な対応が可能な「ユニバーサルスマートパワーモジュール(USPM)...

2030年までにGaNデバイス市場が約1000億円に上ると試算。... GaNデバイスをシリコン(Si)基板上に作製する「GaN―on―Si(ガン・オン・シリコン)」の...

電気を供給する高周波インバーターは窒化ガリウム(GaN)を用いた。

本特集では次世代半導体として注目されるSiC(炭化ケイ素、シリコンカーバイド)、GaN(窒化バリウム、ガリウムナイトライド)、酸化ガリウム、ダイヤモンドといった材料の最...

炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウムを基板に使い、接続部の温度が高くなる次世代パワー半導体などでの使用を見込む。... SiCやGaN、酸化ガリウ...

SiC基板上にSiCのダイオードを作り、その上にGaNでトランジスタ構造を作った。... GaNトランジスタはノイズの逃げ場がなく、素子が破壊される課題があった。... 素子作製にあたりSiCとGaN...

【京都】サムコは13日、窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)パワーデバイス向けなど、非シリコン材料を用いた電子デバイスのエッチング...

三菱ケミカルと日本製鋼所は、4インチサイズの窒化ガリウム(GaN)結晶(写真)の成長を確認した。両社は新しい低コスト製造技術を用いて、パワー半導体向...

シリコン(Si)や窒化ガリウム(GaN)、炭化ケイ素(SiC)などの半導体ウエハーに対応。

「SiCやGaN(窒化ガリウム)の素子に力を入れている。... GaNはまだ開発中で、より高速なスイッチングが要求される用途で今後使われるはずだ。

三桜工業は、窒化ガリウム(GaN)などの次世代パワー半導体基板の受託加工サービスの試験展開を始めた。... GaNと合わせて「難加工基板」と言われる窒化アルミニウム(...

例えば窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)などパワー半導体を活用することでモーター回転時の応答性が向上する。

■メーカーの対応 岩崎通信機は次世代半導体の炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワーエレ分野に注力している。

また長年研究してきた大口径の窒化ガリウム(GaN)単結晶基板は、22年度の供給開始を目指し、いよいよ量産間近となった。GaN単結晶基板は、パワー半導体の機能向上に役立つと期待されている...

ダイヤモンドウエハーを用いたパワー半導体は、シリコンや窒化ガリウム(GaN)を用いた場合と比較し、高出力で放熱性に優れてており、6G用通信基地局や電気自動車(EV)の電...

【2000℃以上】 東洋炭素はシリコンや炭化ケイ素(SiC)単結晶製造工程向けのほか、ウエハー上に窒化ガリウム(GaN)層を製膜する際に使用する「MO...