三菱化学など、ウエハー上にＧａＮ素子形成するパワー半導体で基礎技術

三菱化学や富士電機、豊田中央研究所、京都大学、産業技術総合研究所などの共同チームは、窒化ガリウム（ＧａＮ）のウエハー上にＧａＮ素子を形成するパワー半導体の基礎技術を開発した。ＧａＮパワー半導体は炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体の次世代技術。日本は発光ダイオード（ＬＥＤ）の開発などでＧａＮ素子の技術には蓄積があり、ＧａＮウエハーの生産も世界トップシェア。開発した技術を実用化できれば、世界で優位に立てる。

パワー半導体は家電や自動車、電車などの省エネルギー化に貢献するとして産業界での需要が高い。ＧａＮパワー半導体では、シリコン基板上に横型のＧａＮ系高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）などを形成するデバイスは量産されている。

ただＧａＮ基板上にＧａＮの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を形成する高性能なデバイスの研究は始まったばかり。米国でも研究が進むなど、世界で開発競...