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だが、20ナノメートル台は露光光源に極端紫外線(EUV)を用いる研究開発が業界では進められている。

一段と微細化した次世代半導体は、液浸での2回露光(ダブルパターニング)で製造するが、光源に極端紫外線(EUV)を用いたEUV露光装置も前倒しで使いたい」 ―シス...

半導体各社、20ナノ台の実用化に懸念−露光工程で課題（2008/6/17）

露光光源が光から極端紫外線(EUV)に変わるため開発費や設備導入費がかさみ採算に乗らないと見ている。

極端紫外線(EUV)を露光光源に用いる研究開発が進んでいるが、量産技術の確立までに時間がかかると思う。

装置が支える半導体・液晶(5)露光2回「凍結法」で解決（2008/6/16）

オランダのASML、ニコン、キヤノンの露光装置メーカー3社は32ナノメートルプロセスに向けた研究開発を、露光を2回実施する「ダブルパターニング」、純水より屈折率の高い溶媒を介して解像度を高める「高屈折...

装置が支える半導体・液晶(4)32ナノ、解像度向上が課題（2008/6/2）

残りは、波長が13・5ナノメートルの極端紫外線(EUV)を採用した「EUV露光」。

半導体露光3社、レンズ材料定まらず「高屈折率液浸」断念（2008/5/22）

次世代半導体の露光技術は高屈折率液浸のほか、2回露光(ダブルパターニング)や極端紫外線(EUV)を用いた方法が考案されている。

立命館大、卓上型放射光装置を用いた用途別分析装置を開発へ（2008/3/26）

「みらくる」は高品質のX線を発生でき、遠赤外線や極端紫外線(EUV)領域での光も活用できる。

分析・半導体市場(14)キヤノン専務・市川潤二氏（2008/3/24）

同じく、光源波長を短くする極端紫外線(EUV)を用いる方法も、光源の安定化や出力不足など課題が多く、2010年までの実用化は難しい」 (月・水・金曜日に掲載)&...

次世代のリソグラフィー技術として、32ナノメートル(ナノは10億分の1)の微細線幅を実現する「極端紫外線リソグラフィー技術」の応用が可能なレジストのサンプル出荷を秋に始める。

テクノ学び隊(103)きょうのテーマ−半導体の微細化（2008/3/6）

同32ナノメートルでは、露光を2回に分ける「ダブルパターニング」が考案され、その先の同22ナノメートルでは光源波長が短い「極端紫外線(EUV)」を用いて回路を焼き付ける方法の研究開発が...

ダブルパターニングと同時並行で進められているのが、高屈折率液体と極端紫外線(EUV)を用いる方法。

東京応化、次世代半導体に適応した現像液を開発（2010/2/26）

【川崎】東京応化工業は半導体先端テクノロジーズ(茨城県つくば市)と共同で、回路線幅(ハーフピッチ)が22ナノメートル(ナノは10億分の1)世代以降の次世...