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記事検索結果
439件中、16ページ目 301〜320件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.003秒)
■先陣切って この禁制帯が大きい「ワイドバンドギャップ(WBG)半導体」の中で、注目を集めるのがSiCや窒化ガリウム(GaN)。... 00年代以降、...
サムコは販売代理店契約を結んだ米ヴァレンス・プロセス・イクイップメント(ニュージャージー州)の、最新型の有機金属気相成長(MOCVD)装置「GaN―550」を本社開発棟...
(電機・電子部品・情報・通信1にインタビュー) 米ソラーのLEDは基板材料に既存のサファイアやシリコンではなく、窒化ガリウム(GaN)を使うのが特徴。...
基板にシリコン(Si)を使う既存技術の進化は限界に近く、今後は、基板に炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を使って性能を高める新技術が競争力を左...
今回開発した窒化マンガンガリウム(Mn3GaN)は、磁気が変わる温度が17度Cのため、常温付近で熱を吸ったり放出したりできる。 ... Mn3GaNは磁気を外に漏らさ...
【功績称える各界の声】 ■三菱ケミ 中村教授とGaN研究 三菱ケミカルホールディングスは、2003年に中村修二教授と窒化ガリウム(GaN)で...
天野教授は赤崎教授の弟子にあたり、学部時代から二人三脚で窒化ガリウム(GaN)青色発光デバイスの研究に従事し、GaNのp型化に世界で初めて成功した。... 70年代初頭に早くもGaNの...
愛知地域ではGaN(窒化ガリウム)などのパワーデバイスの開発や蓄電池・燃料電池向け電極・導電材料の開発を通じて、次世代自動車の高度化や競争力強化を目指す。
三菱電機は東京工業大学や国内のベンチャー企業などと共同で、窒化ガリウム(GaN)の半導体を採用したマイクロ波加熱装置(用語参照)の開発に10月にも乗り出す。... それ...
製品面ではウエハー基板に窒化ガリウム(GaN)を使った次世代パワー半導体を供給できるIRの強みを活用する。「当社を通じてシリコン、炭化ケイ素(SiC)、GaNの3タイプ...
▽ヒルタ工業(岡山県笠岡市)、先端力学シミュレーション研究所(埼玉県和光市)=溶接部応力制御技術開発による自動車用サスペンション部品の軽量化▽サンエス(...
【力を入れる具体的な研究案件】(全129社) ・ビッグデータ活用、粒子線がん治療システム、レアアースレス磁石、原子炉内移動ロボット、再生可能エネルギーなど(日...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの低損失なパワー半導体向け。... SiCやGaNなどのパワー半導体は、従来のシリコンパワー半導体に比べ、低損失で小型化...
サイヴァクスの新サービスは、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体、インジウムリン(InP)などの光学素子など対応できる素材が広...
ノヴァシックは半導体材料としてSiCのほか窒化アルミニウムや窒化ガリウム(GaN)も手がけており、こうした材料を加工するニーズにも対応する。
【封止材/パワー半導体用開発着々】 炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といった次世代パワー半導体関連の開発競争が過熱している。.....
