炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワーデバイス用途で、電力変換やモーター制御など高電圧に対応したものへの搭載を見込む。

炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)製半導体素子を基板に接合するため、銀系接合層の形成に必要となるメッキなど複雑な下地処理が不要になる。

サムコはこれまで、GaN向けではプラズマ化学気相成長(CVD)装置やエッチング装置、洗浄装置などをラインアップ。サファイア基板上にGaN結晶を成長させるMOCVD装置はなかった。......

東京大学の荒川泰彦教授とマーク・ホームズ特任研究員らは、一般的な半導体材料である窒化ガリウム(GaN)で作製した量子ドットを使い、量子情報処理に必要な1個のみの光子を27度Cという室温...

この新製品はウエハーに窒化ガリウム(GaN)を採用し高出力化を実現した。

炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの材料開発における静電容量の測定で新手法を採用し、低周波領域で正確に解析できる。

パナソニックは光触媒に窒化ガリウム(GaN)を採用した。GaNは発光ダイオード(LED)照明に使われる半導体材料。... 電機メーカーにとって身近にある材料と技術を生か...

シリコン基板上にガリウムナイトライド(GaN)結晶を成長させる「GaN On Si(ガン・オン・シリコン)」に対応し、既存の直径200ミリメートル製造ラ...

高耐圧や低オン抵抗、高速スイッチングなどが特徴の炭化ケイ素(SiC)や、窒化ガリウム(GaN)を使った次世代パワーデバイス応用機器などにも幅広く提案する。 &#...

材料に炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を用いた次世代パワー半導体の市場も拡大し、20年には全体の7%(現状では1%以下)を占...

具体的な開発分野としてはLEDの発光効率を高める窒化ガリウム(GaN)ウエハーや固体酸化物形燃料電池(SOFC)、リチウムイオン電池用材料などを挙げる。

従来はGaN―HEMTでも出力50ワットの素子が最高品だった。... また、GaN素子は供給された電力を高周波電力に変換する効率が高いため、消費電力の抑制にも効果が大きい。GaN素子の設計・製造技術を...

同装置はシリコン基板にガリウムナイトライド(GaN)結晶を成長させる。

パウデック(栃木県小山市、河合弘治社長、0285・22・9986)は、低損失・高耐圧を実現する構造を採用した窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタの実用化にめどをつけ...

江川教授はサファイアの代わりに、シリコン基板上に窒化ガリウム(GaN)結晶を成長させる方法により、高品質なGaN半導体を低コストで製造する技術を確立した。 ... 同...

経産省は14年度からSiCに加えて、シリコンと窒化ガリウム(GaN)製のパワー半導体開発プロジェクトを立ち上げる。... SiC製のパワー半導体が実用化されたばかりでGaN製はこれから...

省エネルギー化で期待されているGaN―HEMTの性能や特性を評価できる。... GaN製半導体はシリコン製やSiC(炭化ケイ素)製に比べて高速でスイッチングできる。... シリコン基板...

パワーデバイス用基板にはSiCやGaN(窒化ガリウム)が用いられているが、最大サイズが直径6インチどまり。

SiCは通信関連の高周波デバイス用などに見込まれる窒化ガリウム(GaN)の製膜に適し、同社のSiC基板であれば良質なGaN基板も容易に製造できるとしている。併せて、SiC基板上にGaN...

参加申し込みは同シンポジウムの専用ホームページ(www.jst.go.jp/pr/gan−ko/)で受け付ける。