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記事検索結果
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GaNはSiCと比べて2・5倍の耐圧性、電力損失10分の1への低減が見込めるなど物性面で優れる。... 特にEVや再生エネなど高耐圧化が求められる分野では普及がさらに加速し、SiCやGaNなど次世代パ...
「我々は低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で世界上位のシェアだが、電動化や電装化の影響でMOSFET全体の需要が10年で1・6倍になるとされる。我々の半導体は...
自動車などの電動化や脱炭素といった産業界の潮流を踏まえ、シリコンよりも大電流化が可能で耐圧性に優れた炭化ケイ素(SiC)半導体の供給拡大を図る。
高出力で省電力なパワーエレクトロニクスのために、窒化ガリウムやダイヤモンドなど、シリコン半導体より高い耐圧特性や耐熱性をもつ材料の能力を最大化する技術の開発を急いでいる。
高い電圧への耐圧・耐熱性を持ち冷却装置が不要なため小型・薄型化でき、脱炭素社会の実現に必要な技術だ。
一方、GaNデバイスはゲート耐圧や駆動電圧が低く、性能を最大限引き出すゲートドライバーICが必要とされていた。
r―GeO2はSiCなどと比べて、高耐圧・高出力のパワー半導体での応用が期待されている。... パワー半導体材料の特性が優れていても、基板の放熱性が低いと、大電流や高耐圧などの用途で利用することが難し...
GaNは、電圧1800ボルト以上の高耐圧に対応したパワーデバイスや高周波デバイスなどへの応用が期待される。... 直径200ミリメートル以上のウエハーでも高耐圧な厚膜GaNの結晶成長を可能にした。&#...
AlNは炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりも電力損失が小さく、耐圧が高い可能性を有するという。
大規模研究課題=▽層状無機固体の精密構造制御に基づく新規プロトン伝導体の創製(熊本大学)▽災害医療対応・外傷処置・外傷手術XR遠隔支援システムの開発(北海道大学)...
トレックス・セミコンダクターは76ボルトの電圧に対応した高耐圧型電圧検出器(リセットIC)「XC6138シリーズ」を開発した。... 低耐圧製品で必要だった分割抵抗...
同社初となるSiP製品、パワーステージICは650ボルト耐圧のGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)と同HEMTを最適に駆動させる専用ゲート駆動IC、周辺部品を一つのパッケージに同...
今年度中に耐圧防爆仕様 中山水熱工業(三重県鈴鹿市、中山慎司社長)の小型Wi―Fi(ワイファイ)振動センサー「コナンエアー=...
