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システムLSI混載用途に加え、メモリー単体としてDRAMやSRAMの置き換えが期待されているのが、MRAM(磁気抵抗ランダムアクセスメモリー)だ。
産業技術総合研究所は、次世代の記憶素子である磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)の大容量化につながる新構造のトンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発した。
最高速を達成したのはシングル環境と多重負荷時のメモリー性能で8項目、行列積の演算性能で2項目、メモリーのランダムアクセス性能で2項目。
セル内で読み出し部と書き込み部を分けた2ポート構成を作り、高速化が難しい読み出し信号を増幅させ、ランダムアクセス時間で500メガヘルツの超高速動作を実証した。
東芝はSiC素子のほか、立体構造トランジスタのひずみ印加技術、大容量の磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)技術などを展示した。
読み出し/書き換え時間は10ナノ秒(ナノは10億分の1)で、高速動作が得意の磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)と同水準という。
