しかし半導体製造で主流の露光装置により回路パターンを描写する技術は、理論的限界値を迎えつつある。... 同社が現在挑むのが次世代半導体の露光技術であるEUVリソグラフィの開発だ。... EUVは13・...

フォトリソグラフィー(露光)と電気鋳造(電鋳)技術を組み合わせたもので、超精密加工に適している。 通常のフォトリソグラフィーは金属基板の上に感光性樹脂...

次世代の極端紫外線(EUV)リソグラフィー露光装置の実用化が近づく。科学技術振興機構のプロジェクトの一環で開発した。 ... 次世代の半導体デバイス製造に使うリソグラ...

半導体技術で微細加工したガラス製プレートに高精密ディスペンサーを組み合わせた。... 新システムは半導体で使われるリソグラフィー技術を使い、8センチメートル角のガラスに1万個の孔を形成。... 今後は...

半導体ドライエッチング技術は半導体デバイスの微細化・高集積化を実現する手段としてリソグラフィー技術と双璧をなすキーテクノロジー。従事するエンジニアの数もリソグラフィーの分野と同じぐらい多いという。&#...

半導体リソグラフィー技術は半導体集積回路の微細化、高集積化をけん引してきた中心的な技術だ。本書は現場の即戦力シリーズの一冊として、光、電子線、X線、EUV(極紫外)光などのリソグラフィ...

【色素溶液を石英に】 産業界ではこれまで石英ガラス表面への微細加工は、光リソグラフィー技術と強酸水溶液あるいはプラズマを用いたエッチングで行われてきた。... このため、光リソグラフ...

北海道大学電子科学研究所の上野貢生准教授、三澤弘明教授らは、近赤外光を露光用の光源に使い、従来よりも10分の1程度細かい数ナノメートル(ナノは10億分の1)の分解能で加工できる光リソグ...

大日本印刷は印刷技術を応用し、細胞表面に同じ傷を付ける技術の開発に成功した。... その後、フォトリソグラフィー技術を使った細胞表面に傷を焼き付け、導電膜をはがす。... フォトリソグラフィーの応用に...

JSRは24日、次世代の極紫外光(EUV)を使った半導体露光技術に対応したエッチング用フォトレジストで良好な加工性を確認したと発表した。感度と解像度、パターンの粗さの3点のバランスにつ...

半導体製造で現在主流であるフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にした液浸リソグラフィー技術を適用するため、半導体メーカーは大規模な設備投資をせずに集積度を高めたLSIの生産が...

特に露光光源に極端紫外線(EUV)光源を使う最新リソグラフィー技術用素材などが注目されている。... 東京応化工業もEUV露光技術向けフォトレジストを出展した。... これら以外では、...

材料科学技術振興財団(増島勝理事長)は、第10回山崎貞一賞の受賞者に、原子間力を使い高速で動作する顕微鏡を開発した金沢大学の安藤敏夫教授ら4分野5人を選んだ。... 【材料分野】武知敏...

シリコン製はフォトリソグラフィー技術で隔壁や弁などの微細構造を成形するが、ステンレス箔製はプレス加工で成形できる。

JSRは18日、米国の半導体製造技術研究組合であるSEMATECH(セマテック)が行っている極端紫外線(EUV)リソグラフィー技術の開発プログラムに参加したと発表した。...

詳細は米国カリフォルニア州で21日から開催される半導体製造のリソグラフィー技術に関する国際会議で発表する。

東芝と産業技術総合研究所は15日、LSI製造時に使う液浸フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー露光装置の性能を高める技術を共同開発したと発表した。... ArFエキシマレーザー光源を...

大日本印刷は1日、米モレキュラーインプリントと回路線幅22ナノメートル(ナノは10億分の1)以降の次世代半導体製造技術として有望なナノインプリントリソグラフィ技術の実用化に必要な、テン...

流路形成には、半導体素子製造で使われるフォトリソグラフィー技術を用いる。... マイクロ流路チップで主流のガラス製は、流路加工に高度な技術が必要でコストが高く、研究者の負担となっていた。

東芝は18日、現行の45ナノメートル(ナノは10億分の1)世代LSIに比べ、1論理ゲート当たりのコストを半減する32ナノメートル世代向け製造技術を開発したと発表した。... NECエレ...