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24件中、2ページ目 21〜24件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.003秒)
東大、“電子が通る道”を確認−光電子顕微鏡で初めて （2009/7/13）
東京大学の尾嶋正治教授や高木英典教授らの研究チームは、電極にかける電圧の大きさで抵抗が変わる不揮発メモリー(ReRAM)内の化学メカニズムを明らかにした。... 小型で大容量の次世代不...
阪大、酸化ニッケルナノワイヤ用いて抵抗変化型不揮発メモリー作製 （2009/3/19）
大阪大学産業科学研究所の川合知二教授、柳田剛助教らは18日、酸化ニッケルナノワイヤを用いて抵抗変化型の不揮発メモリー(ReRAM)を作製したと発表した。... これまで50ナノメートル...
