待機電力を大幅減 東京工業大学のファム・ナムハイ准教授は米カリフォルニア大学ロサンゼルス校と共同で、不揮発性メモリーの大容量化につながるスピン軌道トルク磁気抵抗メ...

【1ナノメートルメモリー】 結晶細線は絶縁だが、電子線を当ててポリマー化すると導電性が得られる。... このスイッチは室温で2ケタの抵抗変動で1000回の繰り返し使用に耐えられるので...

FeFETは不揮発性メモリーに用いられる素子で、0/1を記録するための電力を消費しない。 ... ただ、メモリーが揮発性だった。今回、不揮発性にすることで、より消費電力を抑...

これにより、この材料の強誘電性が微細化・小型化しても保持されることが示された。 【メモリー作製】 強誘電体の応用先としては、電源を切っても情報を保持できる不揮発性の...

パワーシステムは仮想不揮発性メモリーを実装していて、計画停止時間を最小化できる。... コンテナ化でプラットフォーム(基盤)とアプリを切り離しても、そういった複雑性は残る。複雑性の課題...

反強磁性体の不揮発性メモリー研究で、磁場の反転速度が10ピコ(ピコは1兆分の1)秒以下と確認。

高速動作する不揮発性メモリーへの応用が期待される。 ... データの維持に電力のかからない次世代不揮発性メモリーとして期待されている。

これらの柔らかい電子デバイスにメモリー機能を追加すると、データや画像を一時的に保存できるようになり、利便性がさらに向上する。... 電圧印加を止めた後も電荷が消えることなく保存されると、不揮発性メモリ...

EEPROMは電気的に書き込み・消去が可能な不揮発性メモリー。

ロジック、ファウンドリーが高水準で推移するほか、NAND型フラッシュメモリーなど不揮発性メモリーも前年比50%増になると予想する。

帝人は26日、不揮発性メモリなどの設計開発を手がけるフローディア(東京都小平市)に出資したと発表した。... 不揮発性メモリに関するフローディアの技術と、素材に関する帝人の知見を組み合...

東京工業大学物質理工学院材料系の舟窪浩教授、安岡慎之介大学院生らは産業技術総合研究所、東北大学などと共同で、強誘電体の中で最も高い強誘電性を持つ窒化アルミニウムスカンジウムを薄膜化し、強誘電性をさらに...

独自の測位アルゴリズムで、受信の環境や条件が変わりやすい状況でも測位の精度や安定性が高い。 不揮発性メモリーも内蔵した。

強誘電体を用いた高速かつ大容量の不揮発性メモリー(FeRAM)や人工シナプスの実現につながる。

東京大学生産技術研究所の小林正治准教授らは、極薄の酸化物半導体(IGZO)のトランジスタと抵抗変化型不揮発性メモリーを3次元に積んだ人工知能(AI)チップを開発した。

東京大学物性研究所の肥後友也特任助教、東大院理学系研究科の中辻知教授らの研究グループは、幻の粒子「ワイル粒子」を使った不揮発性メモリー素子の原理を実証した。... ワイル粒子の作る巨大電圧信号を用いて...

さらに低消費電力化の実現のため、電源供給なしでデータを保持できる不揮発性メモリーでなければならない。 ... 現在のSCM開発の方向性としては、既存の不揮発性メモリーの微細化や3次元...

さらに不揮発性磁気メモリー向けの磁気トンネル接合を基にしており、膜厚の調整のみで実現しているため、今後の大規模化に向け量産レベルの既存技術が使えるというメリットがある。 ... 古典...

新製品は3次元NAND型フラッシュメモリー技術を用いて、高速読み出し・書き込みを可能にした不揮発性メモリー。

今後耐久性など各種性能を評価し、実用化を目指す。 ... 新しく開発した燃料電池膜は不揮発性の酸性液体とポリマーを複合化させ、膜を創製した。