この発電素子を磁気抵抗メモリー(MRAM)のように並べると、Wi―Fiとして飛び交う通信用電波で発電できると期待される。 コバルト鉄ボロンで絶縁体の酸化マグネシウムを...

反強磁性体の不揮発性メモリー研究で、磁場の反転速度が10ピコ(ピコは1兆分の1)秒以下と確認。... 磁気抵抗メモリー(MRAM)を開発する米国や韓国のメーカーに対抗。...

磁気抵抗メモリー応用 【記録容量小さい】 ハードディスクドライブ(HDD)の記録容量は、過去数十年で飛躍的な増大を果たした。... TMR素子は次世...

解決策の一つが、現在国内外で研究開発が活発に行われている「高性能なストレージクラスメモリー(SCM)」である。... さらに低消費電力化の実現のため、電源供給なしでデータを保持できる不...

白金マンガン合金の上にコバルトとニッケルを交互に積層し、電気抵抗を連続的に変えられる記憶素子を開発した。抵抗値の誤差が小さく、連続的なアナログ値を扱える。... 今回、記憶素子を手作業で配線したが、磁...

スピントロニクスの応用の一つが、磁気抵抗メモリー(MRAM)だ。... LSIに搭載する既存の揮発性メモリーをMRAMに置き換えれば、消費電力を大幅に削減できる。... MRAMは情報...

大阪大学の鈴木義茂教授、産業技術総合研究所の湯浅新治ナノスピントロニクス研究センター長らが磁気抵抗メモリー(MRAM)の開発を担当。... 佐橋氏は東芝で、巨大磁気抵抗効果(G...

超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、スピン(磁気的性質)注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)のメモリーのデータを蓄える磁気トンネル接合&#...

東北大学原子分子材料科学高等研究機構の寒川誠二教授の研究グループは、東京エレクトロンと共同で、次世代記憶素子である磁気抵抗メモリー(MRAM)デバイスを精度良く加工する新しいエッチング...

超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、ロジック高密度集積回路(LSI)混載のキャッシュメモリー向けにスピン注入型高性能磁気抵抗メモリー「STT―MRAM」を開発し...

次世代メモリーとして期待される磁気抵抗メモリー(MRAM)の製造装置開発につなげる。... 低消費電力で高速書き込み処理が可能な次世代メモリーの量産に貢献する。

新メモリーの投入でメモリー需要の取り込みにつなげる。 量産を検討するのは3次元NAND型フラッシュメモリーと、ReRAM(抵抗変化型メモリー)の2種類。... サムス...

2月に経営破綻したエルピーダメモリもシャープとDRAMの1000倍近い速度で情報を読み書きできる「ReRAM(抵抗変化型メモリー)」と呼ばれる次世代メモリーの実用化を目指していた。韓国...

【MRAMに照準】 スピントロニクス分野の中で次の実用化のターゲットとなるのは、磁気抵抗センサーを高性能な記録素子として使う不揮発磁気抵抗メモリー(MRAM)である。...

このため、磁気抵抗効果を産業に応用するのは困難であった。 ところが、88年に巨大磁気抵抗(GMR)効果という新たな磁気抵抗効果が発見された。... これらの磁気抵抗効...

産業技術総合研究所は、電源を切ってもデータが消えない不揮発性の固体記憶素子「相変化メモリー」が常温で巨大な磁気抵抗効果を示すことを世界で初めて発見した。既存の不揮発性記憶素子である磁気抵抗メモリー&#...

物質・材料研究機構の原田善之特別研究員らの研究グループは、次世代メモリーとして期待されているReRAM(抵抗記憶素子)でレアメタルを使わない素子の集積化プロセスを開発した。... デバ...

次世代メモリーの磁気抵抗メモリー(MRAM)製造などに提案する。

ニューモニクスの株主である米インテルはマイクロンとフラッシュメモリーの生産合弁を行っており、実質3社の技術資産を持ち寄り、次世代メモリーの開発を加速。... ニューモニクスは伊仏STマイクロエレクトロ...

大手ファウンドリー(半導体受託製造)やメモリーメーカーが大型投資を再開し、製造装置メーカーには短納期の注文が舞い込む。... また、ドル建て取引が5割あるので、今の為替水準は痛手だ」&...