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記事検索結果
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従来は長時間の連続動作で破壊や誤動作が発生するため、耐圧600ボルト品で実用可能な高速・高効率動作を確認できなかったという。 ... GaN製はシリコン製に比べて絶縁破壊電界が大きく...
これらの材料のバンドギャップはシリコンに比べ、3倍程度大きく、絶縁破壊電圧も10倍程度、熱伝導率は3倍程度大きい。
IMVは電気自動車(EV)用リチウムイオン二次電池の絶縁材料を破壊せずに、欠陥検査する試験器を開発した。... 部分放電試験は絶縁破壊に至る前の状態の微弱な放電パルスを検知する方式。絶...
部分放電は絶縁破壊の前駆現象で、いかに部分放電の発生を把握できるかが重要になる。 ... 具体的な研究テーマの一つがガス絶縁開閉装置の絶縁材。ナノ素材を使うことで帯電防止やガス絶縁性能が高い絶...
【SiCに注目】 注目を集めるのがシリコンに比べ絶縁破壊強度が約10倍という炭化ケイ素(SiC)パワー半導体だ。三菱電機は20キロワット出力時の電力損失をシリコン製絶縁ゲート型...
ハイブリッド車(HV)や鉄道の駆動モーターを制御するインバーター、太陽光発電のパワーコンディショナーなどに内蔵され、大電力を扱う絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT&#...
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールとして3月からサンプル出荷を始める。... 【用語】SiCパワー半導体=SiCはシリコンと比べて絶縁破壊に至る電界強度が...
ゲート絶縁膜を形成し、MIS型パワートランジスタを試作した。... 【用語】窒化ガリウム製パワートランジスタ=窒化ガリウムは絶縁破壊を起こす電界強度がシリコンの約10倍で、高耐圧用途に向く。
SiC半導体はシリコン製に比べて電力交換時のエネルギー損失がシリコンの約半分で、絶縁破壊に至る電界強度は約10倍、熱伝導率が同2―3倍。
通常、スイッチング速度を高めると、インバーター回路に瞬間的に高電圧が発生し、素子が破壊される恐れがある。... SiCはシリコンに比べて絶縁破壊を起こす最大電界強度が約10倍。
SiCはシリコンに比べて絶縁破壊に至る電界強度は約10倍、熱伝導率が同2―3倍という優れた物性値を持ち、電力変換時の損失も3―7割程度低減できる見通し。
SiCはシリコンに比べて絶縁破壊強度が約10倍大きく、電力変換器を効率化する次世代パワー半導体材料として有力。... 日立国際は絶縁層の上に単結晶シリコン層を形成するSOI(シリコン・オン・イ...
避雷器とは、雷によって送電線に発生する過電圧を抑制し、電気設備の絶縁破壊を防止するために、送電線と接地の間に設ける保護装置である。
取り組んでいるのは、バイオベースポリマーであるポリ乳酸の絶縁性をいかした、銅線の絶縁被覆材料や有機圧電材料への応用だ。... ポリ乳酸の絶縁破壊強度は、塩化ビニルの約3倍。... 銅線にポリ乳酸を被覆...
SiCはシリコンより絶縁破壊電界強度が約10倍高く高耐圧で、電力変換器を効率化する次世代パワーデバイス材料として注目されている。
