イグゾーは固体中の電子の動きやすさを示す「電子移動度」が低くて省エネだが、周辺部分を動かすパワーが無い。 ... イグゾーより電子移動度が高くパワーはあるが安定性に欠けるため、より安...

【京都】ロームは150ボルト耐圧の窒化ガリウム(GaN)製高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、ゲート端子とソース端子間の定格電圧を業界最高レベルの8ボルトに高める技...

【さいたま】樫の木製作所(埼玉県越谷市、大隈浩社長、048・990・6540)とNextコロイド分散凝集技術研究所(茨城県つくば市)は、単層カーボンナノチューブ(...

東京大学大学院新領域創成科学研究科の岡本敏宏准教授、熊谷翔平特任助教、竹谷純一教授らは筑波大学、北里大学、産業技術総合研究所と共同で、世界最小クラスの接触抵抗を示す電子輸送性有機半導体材料を開発した。...

ダイヤモンド以上の硬さや熱伝導度、シリコンの100倍以上の電子移動度など優れた物性からエレクトロニクスデバイスへの応用が期待されている。 ... 二つ目は高電子移動度の実現にある。電...

天野教授らは大電流高電圧に向く高電子移動度トランジスタ(HEMT)の構造で容量を3倍にした。 ... 目指すWPTは電子機器やロボットなどへの常時充電を実現するIoE...

高速で高い利得を持つインジウムリン製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)で増幅器ICを作製した。

電子移動度の速さが理論的にはシリコンの約100倍で、高速トランジスタへの応用研究が盛んだ。

GaNデバイスはGaNを使った高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、中継器と呼ばれる基地局設備の中で電波を増幅する。

米国で生産に乗り出すのは、GaNを使った高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、中継器と呼ばれる基地局設備の中で電波を増幅する役割を果たす。

米電気電子学会(IEEE)は18日、富士通研究所(川崎市中原区)が開発した高電子移動度トランジスタ(HEMT)を「IEEEマイルストーン」に認定した。

富士通と富士通研究所(川崎市中原区)は5日、気象レーダーなどのパワーアンプ(増幅器)に使用されている窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ...

低価格で軽く、薄いほか、曲げられる特徴を生かし、デジタルサイネージ(電子看板)に特化して事業展開する。... 電子移動度は1ボルト秒当たり10平方センチメートルという。 ...

三菱電機は2日、産業技術総合研究所と共同で単結晶ダイヤモンド放熱基板を使ったマルチセル構造の窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(GaN―HEMT)を世界で初めて開発したと発表した...

GaNの表面に加速器でMgイオンを打ち込んだ後、窒素で満たされた空間内を1万気圧に高め、1480度Cで15分間熱処理した。... 集積回路として機能させるには、電子が流れる「n型」半導体と、正孔が流れ...

「IGZO5」は、電流を流す速度(電子移動度)を前世代に比べて約1・5倍に向上。

東京工業大学の王洋博士研究員と道信剛志准教授らは電子移動度の高い高分子トランジスタを開発した。電子が流れるタイプの高分子材料としては電子移動度が1ボルト秒当たり7・16平方センチメートルと世界最高クラ...

コベルコ科研(神戸市中央区、宮脇新也社長、078・272・5915)は、液晶ディスプレーに使われる酸化物半導体「IGZO」の2―3倍の電子移動度を実現した酸化物半導体用成膜材料を開発し...

宇宙空間では電子や陽子、重粒子などさまざまな放射線粒子が飛び交っているため、これらの粒子がデバイスに入射されても故障しないようにする必要がある。 ... 人工衛星における次世代パワー...

電子が流れる「n型」半導体と正孔が流れる「p型」半導体の両方の合成に成功した。... それぞれ電子移動度は1ボルト秒当たり180―200平方センチメートル、正孔移動度は同50―80平方センチメートルと...