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記事検索結果
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独自の高アイソレーション設計技術を用いたミキサー回路をインジウムリン高電子移動度トランジスタ(InP―HEMT)で実現。
高電子移動度トランジスタ(HEMT)の発明で情報通信技術の発展に貢献した三村氏は「失敗があったからこそ有用な情報に気が付けた」とこれまでの研究について語った。
GaNパワー半導体では、シリコン基板上に横型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)などを形成するデバイスは量産されている。
今回、窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)にインジウム系材料の電子供給層を採用したほか、トランジスタのゲート界面に独自開発の2層窒化シリコン保護膜を導入して電流の密度を1・...
三菱電機は衛星通信地上局用の電力増幅器向けでは業界最高クラスとなる出力電力80ワットの窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(GaN―HEMT)を完成した。従来はGaN―HEMTでも出力...
力率を改善するPFC(力率改善回路)用とDC/DC(直流/直流)コンバーター用の2種で、電力損失が少ないGaNの高電子移動度トランジスタ(H...
窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った送受信モジュールで、送受信機能を一つのパッケージに集約できるようにして小型化した。... 試作したモジュール(大きさ...
窒化ガリの高電子移動度トランジスタ(HEMT)を用いて、10ギガヘルツ(ギガは10億)帯で出力6・3ワットを実現。... 窒化ガリHEMTは青色発光ダイオード(...
三菱電機は25日、14ギガヘルツ帯で100ワットの出力が得られる窒化ガリウム系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)増幅器を開発したと発表した。
窒化ガリウム系エピウエハーは、シリコン基板上に窒化ガリウム系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)構造を形成し、6インチまでの大口径を可能とした。
三菱電機は衛星搭載用の窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った増幅器を開発した。... 2倍の高調波を精度良く窒化ガリウムHEMTに反射することで効率を高めた。窒化...
化合物半導体である窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、6ギガ―18ギガヘルツの全帯域で動作できる増幅器の送受信モジュールを開発した。
窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った世界最高出力の送信用増幅器で、既存のガリウムヒ素製のHEMTを使った増幅器に比べて、出力を16倍に高めた。... 窒化ガリウ...
窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、C帯―Ku帯(6ギガ―18ギガヘルツ)で動作する高出力増幅器を開発した。... 1チップに集積化した試作の増...
三菱電機は衛星搭載用のC帯窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)高出力増幅器(写真)を開発し、世界で初めてサンプル出荷した。
窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った送信用と受信用の増幅器で、世界最高性能を達成した。従来のガリウムヒ素製のHEMTに比べ、通信可能な距離を約3倍の10キロメー...
