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記事検索結果
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脱炭素社会の実現に向けて、電気自動車(EV)用をはじめ、高効率なパワー半導体の需要が一段と高まることを見据え、甲府工場に現存する建屋を有効活用して、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ...
UMC日本子会社の三重工場(三重県桑名市)内に、直径300ミリメートルウエハーの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の製造ラインを新設し、2023年上期に生産を...
産業用IGBTモジュール「Tシリーズ」のラインアップを拡充する。独自構造のIGBTとダイオードを搭載し、高電圧動作と低消費電力を両立。... 端子配列の最適化によりIGBTモジュールの並列接続がしやす...
JPDの初めての製品となるIGBT「BG065グループ」は、耐圧650ボルト、電流40アンペア。... 【IGBTとは…】大電力、高速で細かく制御 IGBTはパワー半導体素...
シリコン系ではスプリットゲートという特性の高いMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)や、FS―IGBT(フィールドストップ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ...
自動車業界など向けでニーズが高まる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)などのパワーデバイス検査に適するロジ...
東芝が開発したのは、パワー半導体の一種である「IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)」。... これにより、従来のIGBTと比べて、スイッチを入れた際に50%、切る際に2...
IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)デバイスに最適な専用の駆動回路を搭載し、自己保護機能などを1パッケージ化した。... 同社の最新IGBT素子を内蔵し、同社従来品比で電力損失...
華域三電は昨秋、ロームの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)パワーデバイスなどを採用した電動コンプレッサーの量産を始めている。
大手が安価な民生向けIGBTの生産を縮小する中、低価格を売りにシェア拡大を狙う。 ... IGBTはシリコンベースで、技術的にはコモディティー(汎用品)化が進む。.....
また、富士電機のPCSの技術的な強みとして忘れてはならないのが、自社製パワー半導体のIGBTモジュールだ。
富士電機はインバーター動作時の電力損失を従来品比約10%低減した生産設備向けのパワー半導体「XシリーズIGBT―IPM=写真」を発売した。... 新製品は最新の第7世代IGBT(...
3次元の振動を吸収する独自の「Z―Move(ジィームーブ)」技術を、コネクター底部にIGBT端子を差し込むボトム嵌合構造で実現した。... IGBTはハイブリッド車(HV...
200キロ電子ボルトの高出力型を品ぞろえし、ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)に使われるIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)向けを狙う。...
初めて車載用IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)に参入しようとしていて、生みの苦しみがある。
高速スイッチング仕様の逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(RC―IGBT)がモーターの騒音抑制にも役立つ。
富士電機は第4世代直接水冷モジュールと、ダイオードと一体化したIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品で差別化する。