23年度に量産するデバイスはGaN電界効果トランジスタ(FET)とSi金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を組み合わせたスイッチング電源デバイス。

独インフィニオン・テクノロジーズは、1200ボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「Cool...

SiC半導体は約800度Cまで正常に動作するが、ICで一般的な金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)では酸化膜とSiCの接合界面に多くの欠陥が存在するという特性から高温下...

600ボルト耐圧スーパージャンクション構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」に、業界最速の逆回復時間(trr)とオン抵抗の低減を両立...

ロームは8インチ炭化ケイ素(SiC)ウエハーで金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発する。

シリコン系ではスプリットゲートという特性の高いMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)や、FS―IGBT(フィールドストップ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ...

自動車業界など向けでニーズが高まる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)などのパワーデバイス検査に適するロジ...

1・2キロボルトのSiC―金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体で実証した。

EVなど活用期待 京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授らは、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET...

これまで同社製品のショットキーバリアダイオード(SBD)やモスフェット(MOSFET)に、昭和電工のSiCエピウエハーが採用された実績がある。

SiCパワー半導体の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)はロームが先行して技術開発し、事業化。

ロームは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の2素子内蔵品にオン抵抗を他社従来品比61%低減(P型部の比較)したプラスマイナス40ボルト耐圧品...

縦型MOSFETの耐電圧構造の中にCMOSを形成する素子構造を考案した。... ただ、CMOS駆動回路の出力電流が足りず、パワー半導体のMOSFETをスイッチングできなかった。 .....

徳田教授らはこれまでに、単結晶ダイヤモンドを用いた反転層チャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の動作を実証している。... そこから作製したダイヤモンド自立基板を...

【京都】ロームはP型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、オン抵抗を同社従来品比50%以上低減し、産業機器の省エネに貢献する新シリーズの生産を始めた。... ...

東芝のパワー半導体は300ボルト対応までの低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に強みを持つ。... 同社推計によると、低耐圧MOSFETの国内シェアは31...

三菱電機はスイッチング損失を従来比で約30%低減したパワー半導体「SiC―MOSFET 1200V―Nシリーズ TO―247―4 パッケージ」6品種のサンプル提供を月内...

【京都】ロームは1ミリメートル角サイズの超小型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。... ロームでは、車載ECU1個当たりでMOSFETを含む半導体や積層セ...

光源のVCSEL素子と、光源を駆動する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)素子を1パッケージにモジュール化(写真)。... 従来は、基板上でVCSELと...

ロームは単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC MOSFET(炭化ケイ素 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ...