産業技術総合研究所新原理コンピューティング研究センターの湯浅新治研究センター長、薬師寺啓研究チーム長、高木秀樹総括研究主幹らの研究チームは、磁気抵抗メモリー(MRAM...

この発電素子を磁気抵抗メモリー(MRAM)のように並べると、Wi―Fiとして飛び交う通信用電波で発電できると期待される。 ... 磁気トンネル接合素子はMRAMとして...

磁気抵抗メモリー(MRAM)を開発する米国や韓国のメーカーに対抗。「次世代のMRAMよりも10―100倍速いメモリーの実現につながる」と研究にまい進する。

TMR素子は次世代メモリー“磁気抵抗メモリー(MRAM)”としての応用にも期待が高まっている。... しかしMRAM現行品の記録容量は小さく、身近なモバイル製品には普及していない。

デバイス創成・高性能化 【MRAM開発】 最近、垂直磁化型磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)が念願の販売開始となった。垂直磁化型MRAMは、低...

【性能・コスト凌駕】 SCMの候補としては、従来のReRAM(抵抗変化メモリー)、PRAM(相変化メモリー)や、MRAM(磁気抵抗メモリー&#...

人工知能(AI)のハードウエアや、電源を切っても情報が保持できる磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)などの低消費電力化につながる。

アドバンテストは、2020年度をめどに次世代の半導体メモリー「STT―MRAM」向け検査装置を市場投入する。... 研究グループは、STT―MRAMの不良を検知できる半導体検査装置(写真...

原田PMが、超ビッグデータ処理技術の研究に2億9000万円、佐橋政司PMが新規不揮発メモリー技術(MRAM)による集積回路の高速化などの研究に1億4000万円の増額を要望した。 ...

「東北大学の国際集積エレクトロニクス研究開発センターとは、次世代メモリーとして注目されている『MRAM』の製造装置技術の確立を目指している。

東京エレクトロンが持つMRAM向け成膜装置と、メモリーの低消費電力化につながるSTTの技術を組み合わせる。... MRAMは、一般的なメモリーに比べて書き込み速度が速く、劣化しにくいといった利点がある...

SKとはすでに連携している次世代メモリーのMRAMや、次世代製造技術の「ナノインプリント」以外の分野で協業関係を深める方向を探っていくことになる。

産業技術総合研究所スピントロニクス研究センター電圧スピントロニクスチームの塩田陽一研究員(現・京都大学助教)、野崎隆行研究チーム長らは、電圧書き込み方式の磁気メモリー(電圧トル...

このプロセスで作製したMRAMの動作特性が劣化しないことを実証した。単結晶薄膜を使う高性能な3次元MRAM製造の可能性を開く。... MRAMの大容量化と高性能化につながる。

しかしMRAMやReRAMといった次世代半導体の多くの研究開発機能は、メモリー新会社が手がける。

産業技術総合研究所は27日、次世代の不揮発性メモリーである「磁気ランダムアクセスメモリー」(MRAM)素子を構成する固定された「参照層」に、通常使うルテニウムに代わり新たにイリジウムを...

今回、記憶素子を手作業で配線したが、磁気抵抗メモリー(MRAM)の製造技術を使えば簡単に数千個規模の回路網を作れるという。

スピントロニクスの応用の一つが、磁気抵抗メモリー(MRAM)だ。... 電流がつくる磁場で情報を記録する初代のMRAMに対し、日本は2000年代初頭から、次世代の「スピン注入磁化反転型...

MRAMの実用化に必要な大容量化・高集積化への貢献が見込める。 ... MRAMの書き込み速度の向上や消費電力の削減が可能になる。 MRAMはDRAMに変わる不揮発...

近年、磁性体の磁化の向きで情報を記憶する磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)が実用化されつつある。最近、MRAMの新しい情報の書き込み方法として、スピンと軌道相互作用に由来するトル...