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エルピーダメモリは24日、次世代メモリーの一つのReRAM(抵抗変化型メモリー)を開発したと発表した。... 韓国サムスン電子は3次元NAND、MRAM、ReRAMなど複数の技術を開発...

産業技術総合研究所は導電性を持つ酸化物の強誘電体を使った、新型の抵抗変化メモリー(ReRAM)を開発した。既存のReRAMは酸化物の酸化還元反応や酸化物中の酸素欠陥の移動を利用している...

パナソニック、次世代メモリーのデータ保持性能劣化を抑制（2011/12/8）

パナソニックは次世代記憶素子の抵抗変化型メモリー(ReRAM)の動作原理を解明し、書き込んだデータを記憶し続ける性能の劣化を抑える方法を見いだした。... 容量256キロビットのReR...

ソニー、放送機材・半導体・電池部門で売上高2兆円目指す（2011/11/29）

候補の一つである次世代不揮発性メモリー「ReRAM」は、米マイクロン・テクノロジーと共同開発中。

阪大、抵抗変化メモリーの電子の通り道解明（2011/9/8）

大阪大学の笠井秀明教授らは抵抗変化メモリー(ReRAM)の電子の通り道である伝導パスが形成される仕組みを突き止めた。ReRAMの動作の低電力化や耐久性向上を実現でき、実用化に向けた進展...

半導体業界、メモリー大容量化−微細から積層へ迫られる決断（2011/7/26）

エルピーダメモリはシャープとReRAMを共同開発。... 技術的にはReRAMは動作性、MRAMは大容量化に課題があるとされる。... サムスンは豊富な経営資源を3次元NAND、MRAM、ReRAMな...

“ポストNAND”、開発熱帯びる−微細化の進展、あと数年（2011/2/28）

エルピーダメモリは抵抗変化式メモリー(ReRAM)開発をシャープなどと進める。

物材機構、レアメタル使わないReRAM集積化プロセス開発（2011/1/28）

物質・材料研究機構の原田善之特別研究員らの研究グループは、次世代メモリーとして期待されているReRAM(抵抗記憶素子)でレアメタルを使わない素子の集積化プロセスを開発した。... Re...

理研など、マンガン酸化物薄膜の相転移の仕組み解明（2010/7/9）

こうした電荷整列絶縁体の相転移現象を利用し、より高速な抵抗変化型メモリー(ReRAM)などの新デバイスの開発が進むと期待されている。

NEC、次世代の不揮発性メモリーReRAM開発（2009/12/8）

NECとNECエレクトロニクスは、電源を切ってもデータが消えない次世代の不揮発性メモリーReRAM(抵抗記憶素子)を開発した。

東大、“電子が通る道”を確認−光電子顕微鏡で初めて（2009/7/13）

東京大学の尾嶋正治教授や高木英典教授らの研究チームは、電極にかける電圧の大きさで抵抗が変わる不揮発メモリー(ReRAM)内の化学メカニズムを明らかにした。

大阪大学産業科学研究所の川合知二教授、柳田剛助教らは18日、酸化ニッケルナノワイヤを用いて抵抗変化型の不揮発メモリー(ReRAM)を作製したと発表した。... 低消費電力で動作するRe...

東大、次世代メモリーReRAMの動作メカニズム解明（2008/6/7）

ReRAMはシャープや富士通など各社が開発を進めているが、詳細な動作現象は明らかにされていなかった。フラッシュメモリーの代替として実用化が期待されるReRAMの設計、製造の指標となる。 ReR...