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産業技術総合研究所は27日、次世代の不揮発性メモリーである「磁気ランダムアクセスメモリー」(MRAM)素子を構成する固定された「参照層」に、通常使うルテニウムに代わり新たにイリジウムを...

パナソニック、台湾UMCと次世代メモリー「ReRAM」開発 (2017/2/2 電機・電子部品・情報・通信1)

パナソニックは1日、台湾・聯華電子(UMC)と次世代抵抗変化型メモリー(ReRAM)量産プロセスの共同開発で合意したと発表した。... ICカードやウエアラブル端末、I...

大手電機メーカーに在籍していた代表の中島盛義氏の経験を生かして、当初から新型フラッシュメモリーの技術開発に注力した。 役員・社員にも大手メーカー出身の技術者を擁し、独自の不揮発性メモ...

産業技術総合研究所は筑波大学と共同で、不揮発性メモリーの一種である抵抗変化メモリー(ReRAM)の挙動を電流ノイズから解明することに成功した。... 振動や温度差などを利用した環境発電...

不揮発性のメモリー(SRAM)を使った新しい低消費電力技術(パワーゲーティング)で、マイクロプロセッサーやシステムオンチップ(SoC)の課題である演算&...

新サーボモーターは、エンコーダの磁石とコイルにより自己発電することで回転量を検出し、不揮発性メモリーに保存する仕組みだ。

千葉工業大学工学部の菅洋志助教は、産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門の内藤泰久主任研究員、物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の塚越一仁主任研究者と共同で、白金のナノギャッ...

内閣総理大臣賞は「高機能不揮発性メモリと評価・製造装置、研究開発拠点の構築」で東北大学、東京エレクトロン、キーサイト・テクノロジー・インターナショナルが受賞した。... 不揮発性メモリーの産学連携は東...

またMTJ素子を構成する薄膜層の中にタングステン層を入れ、垂直方向の磁化の安定性を高めた。... MRAMはDRAMに変わる不揮発性メモリーとして、実用化が期待されている。... 【用語】磁気ランダム...

TDKの米子会社ヘッドウェイ・テクノロジーズと東芝、台湾のマクロニクスは、量産化間近の不揮発性メモリーを報告。... だが、IoT時代に日本が巻き返せる可能性はある。

日本ヒューレット・パッカードは、不揮発性メモリーをコンピューターに装着する標準規格「NVDIMM」に業界で初めて対応したパソコンサーバー「プロライアントGen9」の新製品群を発売した。 ...

情報は内蔵する記憶装置に設定することが可能で、不揮発性メモリーに書き込まなくても作動するため、プログラムを修正するデバッグを何度でも行える。

既存のあらゆる種類のメモリーと比較して世界最高の電力性能を達成したという。... コンピューターのキャッシュメモリー用に十分な3ナノ秒の高速なアクセス性能を持ちながら、従来の混載メモリー(SR...

ローム子会社、FeRAMを量産出荷−記憶保持、単4充電池で11年 (2016/2/2 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ローム子会社のラピスセミコンダクタ(横浜市港北区、岡田憲明社長、045・476・9212)は、低消費電力で高速、高頻度にデータ書き換えできる強誘電体メモリー(FeRAM...

産業技術総合研究所は、次世代の不揮発性磁気メモリーである「スピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT―MRAM)」の記憶安定性を2倍に向上した。... 従来の半導体メモリー...

産業技術総合研究所は10日、不揮発性メモリー(MRAM)の新しい書き込み手法である「電圧書き込み方式」の安定動作を実証したと発表した。... これを利用すると磁気メモリーへの情報の書き...

春の褒章/喜びの声 (2015/4/28)

(千葉市花見川区) 【紫綬/富士通元FRAMプロセス技術部部長(現富士通セミコンダクターシステムメモリ事業部専任部長)・...

東京大学物性研究所の徳永将史准教授と大阪大学の赤木暢助教、産業技術総合研究所、福岡大学、上智大学、青山学院大学らのグループは、ビスマスフェライトが3値の不揮発性メモリーになり得る磁気特性を発見した。....

OKIエンジニアリング(東京都練馬区、浅井裕社長、03・5920・2300)は、不揮発性メモリーの特性を評価する受託サービスを10月1日から始める。... また組み込み機器向けメモリー...

超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は名古屋大学と共同で、データセンター(DC)のSSD(ソリッド・ステート・ドライブ)向け新型相変化メモリーを開発...

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