記事検索結果

日立電線、GaNテンプレートの新量産技術を開発（2013/4/26）

顧客は白色LED用エピタキシャルウエハー(白色LED用エピウエハー)の生産時間を従来比2分の1程度に短縮できる。

昭和電工、LED製造事業を子会社に移管（2012/10/24）

昭和電工は23日、窒化ガリウム系発光ダイオード(LED)の基板であるエピタキシャルウエハーと、チップの製造事業を会社分割で完全子会社のTSオプト(千葉県市原市)に移管す...

昭和電工は30日、秩父事業所(埼玉県秩父市)でパワー半導体に使う炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハー(直径4インチ=約100ミリメートル)...

新東工業、成膜半導体の反り矯正装置（2012/7/11）

新東工業は発光ダイオード(LED)チップの成膜半導体(エピタキシャルウエハー)に生じる反りを計測・矯正する装置「マイクロブラスターMBF―ML=写真」を発売した...

新日鉄、SiCウエハー事業加速−米クリーとライセンス契約（2011/4/26）

新日鉄はクリーと手を結ぶことで、クリーが全世界で持つSiC単結晶ウエハーとSiCエピタキシャルウエハーの特許を利用できるようになる。

東レ・ダウコーニング(東京都千代田区、大志万俊夫社長、03・3287・8300)は1日、パワー半導体向けに4インチの炭化ケイ素(SiC)製エピタキシャルウエハーの国内販...

日立電線、化合物半導体の効率生産へ全体最適化（2010/8/31）

同社はガリウムヒ素と窒化ガリウム基板および、それぞれの基板に有機金属層を成長させたエピタキシャルウエハーを販売。

今後は「発光ダイオード(LED)のエピタキシャルウエハーをチップ加工しテスト選別、パッケージングまでを受託生産するビジネス展開が重要ミッション」と抱負を語る。

産業がわかる/次世代パワー半導体−SiCは実用段階に（2010/1/19）

昭和電工は世界最高水準の表面粗度0・4ナノメートル(ナノは10億分の1)の直径4インチSiCエピタキシャルウエハーの量産に成功。

昭和電工は8日、表面粗度が0・4ナノメートル(ナノは10億分の1)で直径4インチのパワー半導体炭化シリコン(SiC)エピタキシャルウエハーの量産に成功したと発表した。....