- トップ
- 検索結果
記事検索結果
70件中、3ページ目 41〜60件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.004秒)
オン抵抗とゲート容量の積で算出するスイッチング性能指数の「FOM」が21で他社品に比べて約3割性能が高い。
CMOSは演算能力が高く、小型化できるなどの特徴を持つが、オン抵抗が大きいため損失も大きく、結果として電力効率が悪くなる欠点があり、パワーアンプへの適用は進んでいない。
電圧600ボルトで1平方センチメートル当たりのオン抵抗値が0・79ミリオームと、業界で初めて1ミリオーム以下を達成した。... ロームが10年から量産しているSiC製パワー半導体と比べてもオン抵抗が7...
従来のゲート電極に付加する金属フィールドプレートをp型GaN薄膜に置き換えることで、高電圧下でチャネル抵抗が増加する電流コラプス現象を抑制した。... 下層の窒化アルミニウムガリウム(AlGa...
従来品に比べてオン抵抗を4割低減し、6ミリオームに抑えた新製品を軸に事業を拡大する。現在、車載制御ユニットには機械式リレーが多用されているが、オン・オフ切り替え時の摩耗による故障抑制や機器の小型化を狙...
同社独自のプロセス技術によりオン抵抗を減らし、電力変換時の損失低減と両立した。耐圧40ボルト機種の場合、数値が低いほど高性能とされるオン抵抗入力容量積(Ron・Ciss)を従来品に比べ...
8ボルト―60ボルトの耐圧で従来より低いオン抵抗を実現した。... 配線材料はアルミニウムから抵抗の小さい銅に変え、配線領域を縮小して信頼性を高めた。
安全動作領域を確保した上で、トレンチ間隔と呼ぶチップ上の溝を現行の4マイクロメートルピッチ(マイクロは100万分の1)から2・4マイクロメートルピッチに狭めて、通電損失の目安となるオン...
新電元工業はオン抵抗を同社従来品と比べ20%小さくしたパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、写真)を開発した。... オン抵抗を小さくすると損失が低減できる...
