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記事検索結果
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ヌーヴォニクスでは主に中華圏メーカーの電界効果トランジスタ(FET)などの部品を扱う。
静岡大学の堀匡寛准教授と小野行徳教授は島根大学の影島博之教授らと共同で、シリコントランジスタの電気的制御により、同トランジスタ上で電子と正孔を同時に存在させることに成功した。......
ミネベアミツミは買収を通じ、電気自動車(EV)向けに需要が増加しているIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の強化を図る。
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を中心とするパワー半導体に関しては「短期的には少し落ちる」(柴田英利社長)と想定。
IEGT素子(電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ)を適用したインバーターで投入電力を安定化し、電力系統に影響する電圧変動を抑える。
深層学習向け、生成AI高速・省電力化 東京大学の竹中充教授、唐睿特任助教らの研究チームは、強誘電体トランジスタで駆動する不揮発性の光位相器を開発した。... これを強誘電体をゲート絶...
外付けの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とICパッケージを組み合わせ、小型の理想ダイオードとして使う。
さらに実際に使われているジーダットのCADツールを使い、トランジスタや抵抗、コンデンサーなどの部品をつなぎ合わせて回路を作るまでを体験する。
GAAトランジスタはチャネルの4面すべてをゲート電極で覆い微細化で問題になるリーク電流を防ぐ。... 産総研はGAAトランジスタをシリコンとゲルマニウムの異種材料で作るなどの研究実績がある。 ...
シート状チャネルをゲート電極ですべて囲む積層型GAAトランジスタ構造を設計した。... 縦方向に積層したGAAトランジスタは垂直配線で接続する。... 2ナノメートル世代のGAAトランジスタはラピダス...
3ナノメートルや2ナノメートルプロセスでは、現在主流の3次元構造を持つFin電界効果トランジスタ(FET)に代わり、チャネルの四つの面を囲むようにゲート電極を配置したトランジスタ「ナノ...
研究チームはマイクロ流路を備えた溶液センサーに特化した二硫化モリブデン製の電界効果トランジスタを作製。
窒化ガリウム(GaN)を用いた高電子移動度トランジスタを採用することで小型化につなげるとともに、高効率・低待機電力を達成した。
波動関数によるこの超高速磁化制御法は、磁性金属材料を用いてキャリア濃度を変化させる従来法に比べて、トランジスタ技術と整合性が高いため、次世代デバイスに新たな機能を加えられる。
既存のパワー半導体、シリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Si MOSFET)と置き換えると部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。
既存のパワー半導体、シリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Si MOSFET)と置き換えると部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。... ...
車体軽量化に伴う材料の変化のほか、シリコン(Si)製の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)などのパワー半導体需要の拡大を見据えたマシン開発を推進する。
グラフェン発見を契機として、遷移金属ダイカルコゲナイドや六方晶窒化ホウ素など、グラフェンにはない物理特性を持つ非常に多くの2次元材料が登場、トランジスタ、発光/受光デバイスなどさまざまな機能...
量子コンピューターの性能向上 産業技術総合研究所の稲葉工研究員と岡博史研究員、森貴洋研究グループ長らは、量子ビット制御に用いる極低温トランジスタは原子位置の乱れがノイズ源になることを...
