MRAMのメモリー部である磁気トンネル接合(MTJ)素子のトンネル絶縁膜(酸化マグネシウム)層を、従来の一括作製法ではなく分割して作製する、新しい成膜プロセスを考案した...

低消費電力な次世代の演算・磁気メモリー素子の実現につながる。

《受賞部品・企業一覧》 【超モノづくり部品大賞】 ◇「パラフィン系潜熱蓄熱材エコジュール」 JX日鉱日石エネルギー &...

日立製作所や東芝、富士通、NEC、ルネサスエレクトロニクスなど半導体関連企業10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合は、電源を切ってもデータが消えない不揮発性磁気メモリー(MRAM)...

光で直接情報を書き込める光磁気メモリーなどへの応用が期待できる。

東京大学大学院理学系研究科の福村知昭准教授ら研究チームは、電気を流すことができる酸化チタンを用いて室温状態で、約4ボルトの低電圧によって磁気を制御できるトランジスタを開発した。非磁性物質を電気的に強磁...

【磁気光学素子にも】 スピントロニクス素子では例えば、印加する磁場の強さで電気伝導率を変化させる、あるいは電場によって磁石の強さを制御することも可能となる。... また、この素材は可...

大日本印刷は従来の外装シールドに比べて面積比で40%、体積比で70%省スペース化した不揮発性磁気メモリー(MRAM)向け「低周波シールド板」を開発した。... MRAM...

高速で省電力の磁気メモリー素子などスピントロニクス分野に応用する。 ... スキルミオン結晶は巨大な電気と磁気との結合を持つ磁気状態。... 磁気状態と電気伝導が強い結合を示すスキルミオン結晶...

有機ELや太陽電池、磁気メモリー(MRAM)などの製造に同技術が活用できると見ている。

富士通研究所とトロント大学は、次世代不揮発性メモリーとして期待されるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM)で課題だった、誤って書き込みが発生しない読み出し方式を世界で初めて開発し...

スピントロニクス材料の設計に貢献するほか、磁気メモリーなどに利用する巨大磁気抵抗効果の基礎研究などが進むと期待される。 ... 大型放射光施設「SPring―8」の高エネルギーX線を利用した磁...

この技術により磁場発生部は不要となり、新たな磁気メモリーや磁気論理回路などのスピントロニクスデバイス開発が可能となる。

東北大学や東京大学などの研究チームは物質の磁石の性質である“磁性”を調べられるX線磁気二色性(XMCD)分光法で、従来の4倍の40テラスの強磁場下での磁性物質の観測に成功した。... ...

東北大学大学院工学研究科の安藤康夫教授らの研究グループは、室温で世界最高の磁気抵抗効果を示す素子を開発した。高速で低消費電力の不揮発性磁気メモリー(MRAM)への応用に加え、メモリーと...

光や磁気メモリー、高感度センサーなど、新しいスピントロニクス物質として期待される。 ... このスピン状態は、ガス分子の種類に応じてメモリーのように書き換えが可能。ガス分子を使って、光や磁気の...

NECとNECエレクトロニクスは、磁性体に対して垂直な磁力を持つ垂直磁化を使う新しい書き込み方式で、システムLSIの組み込みに適した高速な不揮発性磁気メモリー(MRAM)を開発した。....

富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は、次世代記憶素子の不揮発性磁気メモリー(MRAM)の寿命を向上する技術を開発した。... まずフラ...

NECとNECエレクトロニクスは、システムLSIに組み込む従来比2倍の32メガビット(メガは100万)容量の不揮発性磁気メモリー(MRAM)を開発した。... NECは...

トンネル磁気抵抗素子と同じ材料系を使っており、実際の素子開発に適用できる。電子が持つ電荷とスピンを同時に制御するスピントロニクス素子である磁気メモリーなどの超低消費電力化につながる成果。