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記事検索結果
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【POINT】 1.現行メモリーには微細化の壁 2.低消費電力化や製造技術の確立課題 3.メモリー市場のシェア争いに異変も DRAMや...
ルネサステクノロジは2012年に、チップ上の回路線幅に65ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した磁気抵抗メモリー(MRAM)を市場投入する。... マイコ...
なかでも核磁気共鳴(NMR)装置用ニオブ3スズでは世界シェア50%と圧倒的な地位を占める。 ... 現在、超電導技術の実用化が最も進むのは医療向けの磁気共鳴断層撮影装置...
宇部マテリアルズと日本タングステンは11日、次世代の大容量半導体用メモリーなどの研究開発に使われる酸化マグネシウムのスパッタリングターゲットを共同開発し、製造を始めたと発表した。... 酸化マグネシウ...
NECと富士通の両グループ、東芝などは磁気抵抗を用いた「MRAM」の研究開発を進めるほか、エルピーダメモリは相変化膜を用いた「PRAM」に的を絞りつつある。... 富士通研究所と富士通マイクロエレクト...