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FLOSFIA、MOSFET試作 素子性能、SiC製の2倍超 (2020/1/16 電機・電子部品・情報・通信2)

【京都】FLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区、人羅(ひとら)俊実社長、075・963・5202)は、独自の酸化ガリウム製半導体を用い、素子性能を表す移動度が一般の...

酸化ガリウム半導体に挑む…転機は老人ホーム勤務 日本でベンチャーの立ち上げは難しいのか―。... コストメリットに優れる高効率な次世代の酸化ガリウム(Ga2O3)製パ...

コランダム構造酸化ガリウムを用いて、電力損失が少なく低コストのパワー半導体を開発している。

京大発VBのフロスフィア、成膜でセラミックス部品 製造技術を開発 (2019/1/8 電機・電子部品・情報・通信1)

同社はミストCVD技術により、高性能で生産コストを抑えられる酸化ガリウム製パワー半導体を開発している。

情報通信研究機構の東脇正高センター長らは、次世代パワー半導体の候補として期待される「酸化ガリウム」を使った新型トランジスタ作製技術を開発した。... 従来の縦型酸化ガリウムトランジスタを上回る性能を実...

開発の成果を元に、2018年度から新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)が助成する酸化ガリウム半導体デバイスの開発プロジェクトにも参画する。 ... 窒化ガリ...

また、酸化ガリウムは、大口径基板を安価かつ簡便に製造できるという、産業上非常に重要なメリットも有する。 ... 研究センターでは、酸化ガリウムデバイス開発を、大学、企業などと連携して...

国内でも京都大学発ベンチャーのFLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区)に出資し、酸化ガリウム(Ga2O3)製パワー半導体の車載への応用を目指す。

旭硝子、酸化ガリウムウエハー共同開発 VBと20年実用化へ (2018/3/23 素材・ヘルスケア・環境)

次世代パワー半導体に使用が見込まれる酸化ガリウムウエハーを共同開発する。... 旭硝子は半導体部材関連を主力事業に育成する中で、次世代パワー半導体材料として高電圧・大電流の環境下で使える見込みのある酸...

一方、窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の世界市場規模は30年に17年比72・2倍の1300億円とした。... 酸化ガリウム系パワー半導体の30年の世界市場規模は1450億円(...

【名古屋】デンソーは4日、京都大学発ベンチャーのFLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区)と酸化ガリウム(Ga2O3)製パワー半導体を車載に応用する共同研究を始めたと...

【文部科学大臣賞】PKSHA Technology(東京都文京区)=深層学習を中心としたアルゴリズムモジュールの提供 【経済産業大臣賞】ティエムファク...

調査対象は一般的なシリコン系のほか、物性値が優れる炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)を基板にした化合物系パワー半導体、酸化ガリウムやダイヤモンドをベースとした...

■アクセスランキング・ベスト10(6/5~6/11) 1位 ニュース拡大鏡/「東芝メモリ」売却交渉、WDに契約違反リス...

次世代パワー半導体材料、酸化ガリウム急浮上−京大発VBがSBD開発 (2017/6/7 電機・電子部品・情報・通信2)

次世代パワー半導体の材料の候補に、酸化ガリウム(Ga2O3)が急浮上している。... 実用化の研究で先行するSiCや窒化ガリウム(GaN)を追い越そうと、事業化を目指し...

エヌエフ基金、優秀賞に京大院の金子氏ら (2016/12/2 科学技術・大学)

優秀賞は金子健太郎京都大学大学院助教の「次世代パワーデバイス半導体の基礎となる酸化ガリウム系混晶の開拓とそのデバイス開発」、中川桂一東京大学大学院助教の「光学的時空間写像撮影法による超高速イメージング...

SIPの「次世代パワーエレクトロニクス」では、SiCを筆頭に、次世代材料と目される窒化ガリウム(GaN)のほか、酸化ガリウムやダイヤモンドといった将来材料にも目を向ける。

独自に開発した単結晶の酸化ガリウムの成膜プロセスを使い、半導体の酸化ガリウムをトンネル障壁層とした単結晶だけのTMR素子を開発した。 ... この上にアモルファスの酸化ガリウム膜を室...

わが社のモットー/ノベルクリスタルテクノロジー (2016/7/14 モノづくり基盤・成長企業)

◎酸化ガリウムで人々の生活向上に寄与する ノベルクリスタルテクノロジー 主に酸化ガリウムを用いたエピタキシャル膜付基板の開発・製造・販売を手がける。「酸化ガリウムで人々の生活...

同社はタムラ製作所からカーブアウト(技術切り出し)したベンチャー企業で、酸化ガリウムの特性を生かしパワー半導体素材の開発などを手がける。

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