ロームの炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップなど用い、電気自動車(EV)の駆動部向けインバーターなど開発する。

【京都】ロームは、単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC(炭化ケイ素)MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジ...

【京都】FLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区、人羅(ひとら)俊実社長、075・963・5202)は、独自の酸化ガリウム製半導体を用い、素子性能を表す移動度が一般の...

【京都】オムロンは漏れ電流が同社従来品比1000分の1となる1ピコアンペア以下の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)リレーモジュール(写真)を発売した。...

三菱電機は、1平方センチメートル当たりの素子抵抗率が従来比約50%減の1・84ミリオームと世界最高水準を達成した炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...

【京都】ロームはスイッチング損失を同社従来品比35%低減した、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品(写真&#...

次世代自動車を支える技術、ハードディスク駆動装置(HDD)の大容量化技術、低コスト・低騒音・高効率のモーター駆動技術、フォトリレー技術、最新低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体...

【京都】ロームは車載カメラの小型化を後押しする金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。

【京都】ロームは23日、パナソニックからトランジスタやダイオードなどの小信号半導体事業を買収すると発表した。... 買収するのは半導体事業を手がけるパナソニックセミコンダクターソリューションズ(...

【京都】ロームは、次世代材料の炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体を内蔵したAC/DC(交流/直流)コンバーターICを世界で初めて開発した。高効率なS...

【京都】ロームは、高速スイッチング時のノイズ抑制と効率性を向上させた金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。... インバーター搭載の省エネエアコンで軽負荷時の...

【ビジネスワイヤ】半導体メーカーの米トランスフォームは、同社の第3世代JEDEC準拠高電圧GaN(窒化ガリウム)電界効果トランジスタ(FET)プラットフォーム「TP65...

東芝デバイス&ストレージは650V耐圧スーパージャンクション構造のパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)として、「DTMOS VI(ディーテ...

そこでJAXAでは、BDRの小型軽量化のためにスイッチング周波数の高周波化を検討しており、窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN-FET)を適用したメガヘルツスイッチング電源...

ニチコンは理化学研究所などと、次世代の炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体素子を使った、X線自由電子レーザー(XFEL)向けパルス電源を共同開発した。...

そこで出力部分で炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した。

京都大学大学院工学研究科の白石誠司教授と安藤裕一郎特定准教授らは、TDKや大阪大学と連携し、半導体デバイスの廃熱を電気信号として再利用する技術を確立した。... 京大とTDKなどのグループが、現在のC...

また京セラは現在、太陽光発電だけでは不足する電力を、固体酸化型燃料電池(SOFC)を使い補完するシステムの研究開発を進める。... そのため現在主力のシリコン半導体より、電力変換効率が...

【名古屋】豊田合成は開発中の窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体で、1チップの電流が50アンぺア以上と世界最高クラスの大電流化を実現した。... 同社はこのほど、縦型GaNを使った金属...

ルネサスエレクトロニクスは、宇宙産業向けに放射線耐性を持つ窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)と、GaNFETドライバーICを発売した。... シリコン...