ロームは8インチ炭化ケイ素(SiC)ウエハーで金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発する。

シリコン系ではスプリットゲートという特性の高いMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)や、FS―IGBT(フィールドストップ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ...

自動車業界など向けでニーズが高まる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)などのパワーデバイス検査に適するロジ...

1・2キロボルトのSiC―金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体で実証した。

EVなど活用期待 京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授らは、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET...

炭化ケイ素(SiC)は絶縁破壊電界強度がシリコン(Si)の10倍、バンドギャップが同3倍などの特性を持ち、Siの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待される。SiC...

そこで半導体微細化技術で作製した小型グラフェン電界効果トランジスタ上に、金属錯体分子を固定化してガスセンサーを作った。

また電界効果トランジスタに似た構造を持つことから、電流値で量子ビット状態を測定できるという利点もある。 ... これは、二つの熱サイクルの干渉効果、つまり「量子重ね合わせ」が現れたた...

ロームは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の2素子内蔵品にオン抵抗を他社従来品比61%低減(P型部の比較)したプラスマイナス40ボルト耐圧品...

【川崎】富士通ゼネラルは15日、窒化ガリウム(GaN)を材料に使った電界効果トランジスタ(FET)の高耐圧チップをドライブ回路とともに内蔵した小型パワーモジュールを、世...

産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターの岡本光央主任研究員と原田信介研究チーム長らの研究グループは、炭化ケイ素(SiC)のパワー半導体の縦型金属酸化膜半導体電界効果ト...

メモリーに使われる強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)を深層学習の積和計算に用いるのが特徴。

Nチャネル型の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを採用し、高速動作回路を新たに設計して小型化・効率化した。

有機電界効果トランジスタ(OFET)メモリーという素子構造を採用したもので、現在広く普及しているフラッシュメモリーを有機材料に置き換えたようなものである。 OFETメ...

金沢大学ナノマテリアル研究所の徳田規夫教授、松本翼准教授、張旭芳特任助教らの研究グループは、単結晶シリコン上にダイヤモンド製トランジスタを作製し、動作を実証した。... 徳田教授らはこれまでに、単結晶...

【京都】ロームはP型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、オン抵抗を同社従来品比50%以上低減し、産業機器の省エネに貢献する新シリーズの生産を始めた。... ...

産業技術総合研究所や東北大学、台湾国家実験研究院などの日台の共同研究グループは、シリコン(Si)とゲルマニウム(Ge)を利用し、新しいトランジスタ技術として注目されてい...

東芝のパワー半導体は300ボルト対応までの低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に強みを持つ。

電界効果トランジスタの長期の大気安定性と優れた電子移動度も確認し、実用的な有機半導体材料として期待される。

東北大学電気通信研究所の大塚朋廣准教授、ロームの中原健研究開発センター長らの研究グループは、シンプルな窒化ガリウム製の電界効果トランジスタ内に量子ドットが形成される様子を観測した。... 量子ドット特...