提案するのは絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、電界効果トランジスタ(MOS―FET)の半導体インバーター式電源装置。... 富士電子の装置は入力電力に対する...

研究では3DLSIで実証されていないn型MOS電界効果トランジスタ(FET)の動作を実現。

産業技術総合研究所は従来比10―100倍の動作電流が得られる新構造のトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)を開発した。... トンネルFETは電子のトンネル効果を利用したトラン...

開発したのは通信機能を担うMOS電界効果トランジスタ(FET)で、高周波(RF)・アナログアプリケーション向け。

入沢寿史連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター特定集中研究専門員らは、ゲルマニウムのp型MOS電界効果トランジスタ(FET)とインジウム・ガリウム・ヒ素のn型MOSFETを、...

東京大学放射光連携研究機構の尾嶋正治特任教授、東北大学電気通信研究所、東大工学部の共同研究グループは、グラフェンFET(電界効果トランジスタ)の電子状態を調べ、デバイスの性能劣化の原因...

立体型トランジスタ(フィンFET)のSRAM回路の静的雑音余裕(SNM)を予測したところ、製造条件の最適化により1ボルトで動作させた時の安定性が約2倍に向上した。

開発したのは、SiCの金属酸化膜半導体(MOS)電界効果トランジスタ(FET)と、SiCのダイオードで構成。

東京大学大学院工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センターのイエ・ジャンティン特任講師、岩佐義宏教授らの研究チームは、潤滑剤などに使われる二硫化モリブデン(MoS2)を材料にした電界...

パナソニックが開発した半導体リレー「フォトモスリレー・パワーDC高容量タイプ」は、スイッチング素子に金属酸化膜半導体(MOS)電界効果トランジスタ(FET)を使用した。

トンネルFET設計用の素子動作モデルの開発は初めて。... 従来の金属酸化膜半導体(MOS)FETよりも小さい電圧で電流のオン・オフが切り替わるため、低消費電力で動作できる。 ...

東京工業大学大学院理工学研究科の波多野睦子教授と産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門の山崎聡主幹研究員らは、ダイヤモンド半導体を用いた接合型電界効果トランジスタ(FET)を開発し、...

これによりグラフェンを用いた次世代の電界効果トランジスタ(FET)や光デバイスなどの半導体の実用化を促すことになる。

広島大学が開発した絶縁膜上シリコン(SOI)・電界効果トランジスタ(FET)の回路設計用トランジスタモデルが、半導体などの国際標準化委員会「CMC」から標準品として認定...

開発したのは電界効果トランジスタ(FET)で、インジウム・ガリウムヒ素(InGaAs)による複数の半導体ナノワイヤ(ナノは10億分の1)を垂直に立て、そ...

理化学研究所と東京大学の研究グループは、半導体の代わりに特殊な酸化物を使った新型の電界効果トランジスタ(FET)を開発した。

今回、二つのFETのオンとオフのタイミングを調整するデジタル制御技術を開発した。... これを改善するため、一つのFETをオフにする時間を遅らせ、一方のFETをオンにする時間を早めた。... さらにF...

競合より先行しているSiC製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOS―FET)技術の強みを生かし、完成した。

酸化物のチタン酸ストロンチウムを熱電材料に用いて熱電変換する能力を計測したところ、トランジスタの一種である電界効果トランジスタ(FET)の構造が性能評価に有効であることが分かった。.....

産業技術総合研究所は2017年以降に実用化が見込まれる14ナノメートル世代立体型トランジスタ(フィンFET)の実現に向け、素子の特性がバラつく主要因を解明した。... 産総研の松川貴シ...