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記事検索結果
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富士電機は大規模風力発電向けに、連続動作時の最高保証温度を従来比16・7%増の175度Cまで向上した1700ボルト耐圧のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュール&...
心臓部のトランジスタは高周波向けには炭化ケイ素(SiC)を、低周波向けには絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を搭載。
高周波であるメーンの110キロヘルツは、パワー半導体に使われる絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の接合で素子破壊を起こしにくい。
これまで電気のスイッチングを担うIGBT素子と還流機能を持つダイオード素子をワイヤでつないで基板に組み込んでいたが、機能を集約した一つの素子を開発。... サンプル出荷を始めた産業機器用RC―IGBT...
併せて、最新世代のパワー半導体である第7世代絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の生産能力を、22年をめどに増やす。
【京都】ロームは産業機械や家電などの省エネ性能を高められる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT、写真)を開発し、量産を始めた。... IGBTは大電力を制御するパワー半導体の一つ...
N700系は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)素子を採用したが、発熱を抑え、高温でも動作できるSiC素子への変更を決めた。
近年は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などの利用が進むが、コストの面ではサイリスタが優位だ。
同社は高耐圧対応のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)で世界シェア3位と強く、自動車の電動化は当該事業の成長を支えよう。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は車載に加え、社会インフラ機器や鉄道向けに注力する」 ―民生品市場も堅調に推移する見通しです。 「ディス...
主に車載充電器や(駆動用モーターを制御する)トラクションインバーターなどに使われる」 【記者の目/シリコン製から置き換え強化】 ...
ただ現在は高効率な『第7世代IGBT』や、小型かつ低コストな『スリムDIP』の引き合いが好調。
IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)も拡充する。IPMやマイコンを組み込み、IGBTを知能化する取り組みも始めた。... 当社の強みは既存のシリコンIGBTからSiCへそのまま...
【立川】三喜電機(東京都八王子市、三田喜孝社長、042・665・4100)は、パワー半導体デバイスなど絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)のスイッチング試験に使...
また「薄ガラス基板」「シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)」は、サポインとは別枠で事業化を目指す。
現状のシリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、短絡までの時間が一般的に8マイクロ―10マイクロ秒(マイクロは100万分の1)。
自動車や家電などに搭載される絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)向けで、パワー半導体メーカーに提案する。 ... ソフィ―400は高エネルギー対応により、ウエ...
