ロームの炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップなど用い、電気自動車(EV)の駆動部向けインバーターなど開発する。

【京都】ロームは、単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC(炭化ケイ素)MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジ...

▽柯夢南・東京理科大学助教「AI・IoT時代における高性能・高信頼性Ge―MOSFETの開発と次世代デバイスへの応用」▽松尾貞茂・理化学研究所特別研究員「並列ナノ構造における弾道的電子輸送の解明と機能...

開発したパワーモジュールは、産総研で作製した耐圧1200ボルトのSiC―MOSFETを2個使用している。

【京都】FLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区、人羅(ひとら)俊実社長、075・963・5202)は、独自の酸化ガリウム製半導体を用い、素子性能を表す移動度が一般の...

【京都】オムロンは漏れ電流が同社従来品比1000分の1となる1ピコアンペア以下の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)リレーモジュール(写真)を発売した。

三菱電機は、1平方センチメートル当たりの素子抵抗率が従来比約50%減の1・84ミリオームと世界最高水準を達成した炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...

【京都】ロームはスイッチング損失を同社従来品比35%低減した、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品(写真&#...

次世代自動車を支える技術、ハードディスク駆動装置(HDD)の大容量化技術、低コスト・低騒音・高効率のモーター駆動技術、フォトリレー技術、最新低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体...

【京都】ロームは車載カメラの小型化を後押しする金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。... 開発したのは、車載カメラ向け超小型MOSFET「RV4シリーズ」。

今後はイメージセンサーや電池管理用IC、電池保護回路用の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)などに注力し、20年3月期の黒字転換を目指す。

高効率なSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用。... 内蔵したSiC―MOSFETは1700ボルト耐圧。... 従来は一般的に、AC/DCコン...

【京都】ロームは、高速スイッチング時のノイズ抑制と効率性を向上させた金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。MOSFETが持つ低消費電力の特性をより引き出せるの...

175度Cは標準的なAEC―Q101準拠高電圧シリコン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)製品の温度限度より25度C高い。

これによりトレンチゲート型MOSFETを開発、一層の低オン抵抗を実現し企業へ技術移転した。また、オン抵抗の低いトレンチMOSFETにショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵したSW...

東芝デバイス&ストレージは650V耐圧スーパージャンクション構造のパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)として、「DTMOS VI(ディーテ...

従来のSi金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の機器に比べて、高出力かつ小型軽量化が実現され、災害時などの高精度地球観測の一役を担っている。

SiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用して小型化。

そこで出力部分で炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した。... 2次側の同期整流回路では、既存機種は許容損失の大きなリード...

京大とTDKなどのグループが、現在のCMOS(相補型金属酸化膜半導体)半導体に代わるものとして、2014年に開発した「スピン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(スピンMOSF...