しかし、IGBTの作製に必要なp型基板は、SiC基板としては品質が悪く、デバイスの作製には従来問題があった。 今回、エピタキシャル成長によってp型基板層を作製する従来のフリップ型の技...

安価なシリコン基板上に高品質なSiC単結晶薄膜を低コストで量産する技術で、業界初という。... SiCは通信関連の高周波デバイス用などに見込まれる窒化ガリウム(GaN)の製膜に適し、同...

パナソニックは有機金属気相成長(MOCVD)技術により、直径6インチのシリコン基板上にGaNを結晶成長させ、独自構造のノーマリオフ型のGaNトランジスタを完成。... シリコン基板を採...

だが近年は炭化ケイ素(SiC)基板が登場するなど、既存のダイシング装置では切れない材料が出始めたことで、市場性が高まっている」 ―製品の特徴は。 「...

エア・ウォーターは窒化ガリウム(GaN)半導体向け炭化ケイ素(SiC)下地基板を開発した。... SiC下地基板は、シリコン(Si)基板上に3マイクロメ...

【北九州】高田工業所は15日、炭化ケイ素(SiC)基板などの難切材を高速切断する超音波ダイシング(切削)装置「CSX―400シリーズ」を開発、12月から発売すると発表し...

炭化ケイ素(SiC)の基板上にグラフェンを作り込む場合、基板表面にナノレベルの段差があると電子密度が均一ではなく、バラつきが生じることになる。... 具体的には微細加工処理したSiC基...

省エネルギー性能に優れ、現行のシリコンに代わる次世代技術として注目されるのが、炭化ケイ素(SiC)によるパワー半導体。... さがみはら産業創造センター(相模原市緑区)...

このほど11年までほとんど実績がなかったLED用サファイア基板やパワー半導体用炭化ケイ素(SiC)基板の原料となる結晶生産溶融炉向けの導入が決定。

6億円を投じて、太陽電池向け電子ペーストや炭化ケイ素(SiC)基板用の研磨工具などの研究開発に使う各種試験・評価装置を導入する。

現状の基板サイズは3インチだが、将来的には6インチまで大きくする。 ... 今回の技術を使えばモジュールに必要な基板面積をおよそ半分にできる。またSiC基板の価格は現状使われているシ...

超音波による振動と材質ごとに適したブレードを選定することにより、SiC基板を毎秒25ミリメートルで切断できる。... SiCやセラミックスなどの高硬度材料切断時、ブレードのみの切断に比べて摩耗量を10...

また基板の原料がグラフェンと同じ炭素原子なので、不純物が入らない。... シート状の炭素構造物であるグラフェンの合成法は、炭化ケイ素(SiC)基板を加熱してSiを分解する方法や触媒を使...

同6Eは次世代パワー半導体用炭化ケイ素(SiC)基板をさいの目に切ったり、溝入れ加工したりする装置。

シリコン基板上にGaNを作り込むのが特徴で、炭化ケイ素(SiC)基板上に積層する競合他社に比べ、大口径化が簡単でコスト競争力を高めやすい。

09年夏にSiC基板大手の独サイクリスタルを買収。... SiCで基板から素子まで手掛けているメーカーは日系ではない。 ... 基板メーカーではSiC基板大手の米クリーが基板だけでな...

関西学院大学は20日、金子忠昭教授らが開発した「炭化ケイ素(SiC)製ナノものさし」が製品評価技術基盤機構(NITE)の標準物質データベース(DB)に登...

2010年は基板に炭化ケイ素(SiC)を活用して、従来のシリコンに比べ電力損失を5割以上削減できる次世代品の生産が本格化。... 09年夏にSiC基板大手の独サイクリスタルを買収。基板...

【北九州】高田工業所は24日、超音波事業の業務提携先であるアルテクス(福岡市博多区)と共同で、炭化ケイ素(SiC)を高速切断する技術を開発したと発表した。SiCは電力制...

丸紅は10日、名城大学発ベンチャー企業のエルシード(名古屋市、神谷忠雄社長、052・783・5238)と、炭化ケイ素(SiC)基板を利用した次世代白色発光ダイオード&#...