NEDOは現在、日本が得意とする不揮発性素子(MRAM技術)を使って、必要な時だけ電力を消費する「ノーマリーオフコンピューター」を開発するプロジェクトを3月まで実施中。

東芝と、東京大学の中村宏教授らの研究グループは1日、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)のプロジェクトとして、消費電力を従来メモリー比10分の1以下に抑えた新方式の磁性体メモ...

産業技術総合研究所は、次世代の不揮発性磁気メモリーである「スピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT―MRAM)」の記憶安定性を2倍に向上した。20ナノメートル世代(...

産業技術総合研究所は10日、不揮発性メモリー(MRAM)の新しい書き込み手法である「電圧書き込み方式」の安定動作を実証したと発表した。

大阪大学の鈴木義茂教授、産業技術総合研究所の湯浅新治ナノスピントロニクス研究センター長らが磁気抵抗メモリー(MRAM)の開発を担当。

これにより、同MRAMの密度を同3倍に向上できる。... 開発した技術は、16キロビットSTT―MRAM向けとして実証した。... LEAPの杉井寿博磁性変化デバイスグループリーダーは実用化に向け、「...

MRAMの実用化に向けた最大の課題を解決し、メモリーの微細化、大容量化に道を開く。... 開発技術はこれまで難しかったMRAMデバイスの微細化、高集積化を加速する手法になり、数十ナノメートル世代...

11月に創立50周年を迎えた東京エレクトロンは次世代メモリーのMRAM関連の装置技術などを紹介すると同時に自社の歴代製品を模型展示し、「取引先との関係を深める場としても活用したい」(担当者&#...

東芝は17日、次世代半導体メモリーとして期待されるMRAM(磁気記録式メモリー)を2014年からサンプル出荷することを明らかにした。... MRAMは現在、韓国SKハイニックスと共同開...

超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、ロジック高密度集積回路(LSI)混載のキャッシュメモリー向けにスピン注入型高性能磁気抵抗メモリー「STT―MRAM」を開発し...

東芝は動作時の電力消費量を従来比10分の1程度に低減した不揮発性磁性体メモリー「STT―MRAM」を開発した。... 開発したのは、垂直方向に磁化を記録する同社開発の垂直磁化方式STT―MRAMをベー...

次世代メモリーとして期待される磁気抵抗メモリー(MRAM)の製造装置開発につなげる。... 東京エレクトロンの熱処理炉技術を組み合わせることで、MRAM用の熱処理装置を開発。

低消費電力で書き込み速度が高速な「STT―MRAM」の製造装置技術の早期確立が狙い。... 13年に東北大学が開設する国際産学連携集積エレクトロニクス研究開発センター(仮称)内でSTT...

サムスンも3次元NAND、MRAM(磁気抵抗メモリー)、ReRAMなど複数の技術開発を急ぐ。

ハイブリッド型SSDとしてはMRAMを組み合わせたタイプが開発されている。

富士通、日立製作所、東芝、三菱電機など電機メーカー10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、次世代記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM&#...

韓国SKハイニックスは東芝と低消費電力が特徴の「MRAM(磁気抵抗メモリー)」を開発中。

バッファローメモリ(名古屋市中区、050・5830・8900)は、使用頻度の高いデータの出し入れを行うキャッシュメモリーにMRAM(磁気抵抗変化型メモリー)を採用したソ...

低消費電力のMRAM混載LSIを数年後に実用化する。... MRAMの信頼性を評価するモデルを初めて提案し、試作したMRAMを適用したところ、0・5ボルト以下の低い電圧で、10年間安定して動作できる実...

【MRAMに照準】 スピントロニクス分野の中で次の実用化のターゲットとなるのは、磁気抵抗センサーを高性能な記録素子として使う不揮発磁気抵抗メモリー(MRAM)である。...