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当社はSiCウエハー基板製造技術をはじめとしたSiC半導体を作るのに不可欠な要素技術を全て自社内に持ち、各技術のすり合わせを全体最適でできる。... 東芝が石川県で整備中の300ミリメートルウエハー対...
あとは供給力の問題だ」 ―傘下の加賀東芝エレクトロニクス(石川県能美市)で、300ミリメートル(12インチ)ウエハー対応のパワー半導体の新工場を建設中...
主力の直径300ミリメートルウエハーは24年4―6月か7―9月が大底になる予想。... 中長期ではウエハー需要の増加が見込め、市場の回復をみながら新工場を稼働させる。... 「ウエハー製造はすり合わせ...
タカトリは半導体材料であるウエハーの研削から研磨までを行える装置「グラッピングSiC」を発売した。... 最大8インチのウエハーを処理でき、炭化ケイ素(SiC)や窒...
「当社は前工程で300ミリメートルウエハーを保管する容器『FOUP』を運ぶシステムを主に手がけているが、後工程ではさまざまな形状の物を運ぶニーズがある。
本格販売するベアウエハーストッカー「CDWX」は、半導体製造装置にウエハーを搬入出するロードポート上にある保管・搬送容器(フープ)から、ハンドリングロボットでウエハーを取り出し、村田機...
半導体の製造にかかる期間を従来より削減するため、ウエハーを1枚ずつ処理する「枚葉式」の装置が「今後の半導体市場の大きな潮流になる」(東会長)との指摘もある中、半導体製造装置各社がどう対...
EUV露光装置は回路線幅7ナノメートル以降の回路の微細なパターンをウエハー上に転写露光する技術として先端半導体製造に不可欠となる。
新棟によって、半導体ウエハーを自動搬送する天井走行台車(OHT)の生産能力は20年比約2・5倍に拡大すると見込む。
生産能力は直径300ミリメートルウエハー換算で年42万枚。ローム子会社のラピスセミコンダクタ(横浜市港北区)が稼働開始を予定する宮崎県国富町の工場では、直径200ミリメートルのSiCウ...
我々の主力は300ミリメートルウエハー向けのロードポートだが、新規受注を獲得するため後工程向けに進出するほか、パワー半導体の200ミリメートルウエハー投資向けなども狙う」 ―半導体関...
通常シリコン光回路はウエハー面内に形成されるが、エレファントカプラーではシリコン光配線の先端をイオン注入によりウエハー面に対して垂直方向に立体湾曲加工して、ウエハー面に垂直な方向から光集積回路へ光入出...
高倍率で速度2倍 東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー(横浜市港北区、佐藤謙二社長)は5日、半導体製造工程の顕微鏡で行う高倍率検査におい...
洗浄装置でも生産性や加工性が高く、使用する水の量などを少なくして環境への影響を低減した装置を開発する」 「ウエハーを1枚ずつ処理する枚葉式の成膜装置も増やしたい。数十枚のウエハーを一...
7ナノメートル(ナノは10億分の1)以降の回路の微細なパターンをウエハー上に転写露光する技術として、先端半導体製造に不可欠となる。
既に表明している半導体ウエハーの研究開発棟に加え、セラミックス製の二酸化炭素(CO2)吸着材と分離膜を開発する拠点や社内外との交流を促す拠点(写真)を構える。