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東大、バンドギャップを非周期構造で形成（2010/11/2）

東京大学生産技術研究所の枝川圭一准教授らは、3次元的な光の閉じ込め効果(光のバンドギャップ)を示すフォトニック結晶について、バンドギャップが大きい非周期構造の「フォトニック・アモルファ...

薄く伝導性の高いグラフェンを使ってバンドギャップを持つ素子が選択的に作れるようになる。... シリコン以外の新物質でスイッチング素子を作るためには、薄膜の電子状態にバンドギャップを形成することが望まし...

広がりを見せる炭素系ナノ材料−さまざまな物質発見（2010/5/5）

比較的簡単に作れるほか、半導体として使うために必要な「バンドギャップ」という特性を容易に持たせられる。

米ライス大、GNR生成法開発−トランジスタなどに応用（2010/2/4）

半導体としての利用に必要な特性である、結晶中で電子の取りうる二つのエネルギー領域間のエネルギー差(バンドギャップ)を持つほか、透明電極や太陽電池などへの応用も研究が進む。

東北大、ポリマー成分の分解抑制したコンポジット薄膜を作製（2009/11/13）

酸化チタンの代替としてバンドギャップが大きく、光触媒作用のないチタン酸バリウムのナノ粒子を充填(じゅうてん)剤にし、透明高分子のポリメタクリル酸メチルに分散させる。

東北大、円盤状の量子ドット形成技術を開発（2009/10/7）

厚さを2ナノ―6ナノメートルと変えると、材料の性質を決めるバンドギャップが1・6―2・2電子ボルトと広い範囲で変えられることを確かめた。... 既存の結晶シリコン太陽電池のバンドギャップは1・1電子ボ...

理研、単層CNTに量子ドットを6ナノ間隔で並べることに成功（2009/7/14）

電気伝導特性も、半導体素子に必要とされる特性である、結晶中で電子の取りうる二つのエネルギー領域間のエネルギー差(バンドギャップが)一定に維持されていることを確認した。

グラフェンを二重にし、それらをはさむ形で上下二つのゲートから電圧をかけ、電圧の違いによりバンドギャップの大きさを最大250ミリ電子ボルトまで調節できる。バンドギャップとは結晶中で電子の取りう...

ナノテクの主役交代へ−CNTからグラフェンに（2009/5/26）

シリコンの代替材料としての利用では、バンドギャップがない、といった課題が立ちはだかる。バンドギャップとは結晶中に存在する電子の取りうる二つのエネルギー領域(バンド)の間のエネルギー差の...

最先端走るNEDO・第2部(中)太陽電池（2009/5/12）

40%以上への高効率化に向けて複数のバンドギャップを持つ薄膜材料を開発し、アモルファス、多結晶、単結晶などの従来材料を大幅に超える性能を実現するのが狙い。

炭素材料「グラフェン」研究、世界で大ブーム（2008/12/1）

ただ、グラフェンは半導体の特性を示すバンドギャップが存在しない欠点がある。... シリコン基板でなく、炭化ケイ素(SiC)基板上にグラフェンをエピタキシャル成長すると、バンドギャップが...

目玉は透明導電性酸化物の中で最大のバンドギャップとなる4・8電子ボルトを持つ酸化ガリウム単結晶を使った高輝度発光ダイオード(LED)。