敷地内のクリーンルーム施設には50億円するとされるフッ化アルゴン(ArF)液浸方式の露光装置をはじめ、製品開発や品質検査に使う各種の先端設備がズラリと並ぶ。... 半導体メーカーへの現...

東京応化工業は先端半導体の製造工程を簡素化するフォトレジスト(光感光性樹脂)を開発し、営業活動を始めた。... 新材料はレジストを芯材(コア)にすることで工程を一部省略...

一方、モバイル用中小型パネル向けは高機能光学材料の受注が伸び、画面の高精細化により光配向膜の需要も期待できる。... 当面は主流であるフッ化アルゴン(ArF)レジストで、世界シェア4割...

韓国や台湾の大手半導体メーカーにも拡販を目指しており、ネガ型を含む先端のフッ化アルゴン(ArF)液浸用レジストで1―2年後にシェアを現状の5ポイント増の25%に高めたい考え。&...

半導体の配線微細化の進展に伴うフォトレジストの需要増に対応し、需要地での生産や拠点分散化による事業継続計画(BCP)対策を考慮した。... 業界で最後発組ながら先端のフッ化アルゴン&#...

配線の微細化といった半導体技術の進展に合わせ、年間数十億円を投じて製造装置の導入や更新を行っている。 微細な配線の形成に使うフッ化アルゴン(ArF)液浸レジスト用ステ...

―以前から2010年代は不確実性と多様化の時代と評していました。 ... モバイル端末は高精細化の傾向にあり、コストを下げるにも高輝度化につながる新材料は必要だ。... 半導体は極端...

EUVの評価段階にあるが、実用化のハードルが低くないため、建設時期などは流動的。既存のフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にする装置で回路線幅の微細化を進めながら、EUVの量...

JSRは2日、半導体製造工程で、1回のフッ化アルゴン(ArF)光源露光で回路線幅(ハーフピッチ)20ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の微細加工を行...

半導体製造で現在主流であるフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にした液浸リソグラフィー技術を適用するため、半導体メーカーは大規模な設備投資をせずに集積度を高めたLSIの生産が...

EUVは波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)で、フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にするのが現在主流の露光装置の10分の1以下。... ニコンは経...

(6面参照) 半導体の微細化、高集積化が進み、線幅10ナノメートル(ナノは10億分の1)台の実用化が近づいている。これを実現する露光技術がEUVで、現...

新たに市場投入したフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源に用いる露光技術に対応するペリクルの供給体制を整えるのが目的。... ArF露光対応ペリクルの販売では三井化学や信越化学...

ただ次世代光源である極端紫外線(EUV)の技術はいまだに確立されていないため、フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー光源を使った液浸露光技術を回路線幅32ナノメートル...

今後の増産の中心は、回路線幅(ハーフピッチ)45ナノメートル(ナノは10億分の1)世代の半導体製造向けを中心とした先端のフッ化アルゴン(ArF)エキシマ...

JSRは22日、次世代半導体製造プロセスであるダブルパターニング向けに、トップコート不要の自己架橋型フッ化アルゴン(ArF)フォトレジストを開発したと発表した。従来品と比べ製造プロセス...

東芝と産業技術総合研究所は15日、LSI製造時に使う液浸フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー露光装置の性能を高める技術を共同開発したと発表した。... 年度内の実用化を目指す。&#...

微細化要求が高まる半導体回路。... (藤木信穂) 【業界標準材料に】 開発したフッ化アルゴン(ArF)レジストは波長193ナノメートル(ナノは...

露光光源は波長436ナノメートルの可視光線「g線」から同365ナノメートルの紫外線「i線」、同248ナノメートルの「フッ化クリプトン(KrF)エキシマレーザー」へと順に移行。回路線幅が...

半導体業界では2010年ごろに、40ナノメートル世代から一世代進んだ同30ナノメートル台の次世代プロセスの実用化を見込んでいる。 ... ダブルパターニングは1台当たりの装置費用が高価なフッ化...