「省エネ半導体」の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を搭載し、電力損失を低減でき、総合効率で最大97%を実現した。

独自開発した最先端の第7世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を初めて搭載し、白物家電向けでは業界トップクラスの低消費電力を実現した。 ... 第7世代IG...

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を6素子搭載し小型化を実現しており、2素子搭載の従来製品を三つ使用した場合と比べ実装面積で、約80%に縮小できるという。 &...

最新の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を搭載、従来製品より損失を約10%低減。... 放熱性の高い絶縁シート構造を採用し外形サイズは31×52・5ミリメー...

ロームは高速スイッチング性能と低電流から大電流までの省エネルギー特性を兼ね備えたトランジスタ「ハイブリッドMOS」を完成した。スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(SJ―...

「耐熱性と強度を高めることで、半導体などに使われる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)やスイッチの材料も提供できる」と確信する。

今後300ミリメートルウエハーの技術を量産拠点のドレスデンに移管し、まずは容量が小さい高電圧トランジスタを生産する。将来は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)など大容量品にも導...

オーストリア・フィラッハの拠点で直径300ミリメートルウエハー技術を用いて、高電圧トランジスタ「CoolMOS」を生産、2月に一部顧客に納入を始めた。... 日本では三菱電機が絶縁ゲートバイポーラトラ...

しかしモジュールに採用する絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の既存製品は、逆方向に電圧をかけると壊れる可能性がある。そこで同社独自のIGBTを開発した。... 新型のIGBT...

ルネサスエレクトロニクスは、保護機能を内蔵した絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)駆動用フォトカプラ(写真)を開発した。... インバーターに搭載してモーターを...

「“フルSiC”パワーモジュール」は内蔵するダイオードとトランジスタをともにSiC製で構成する。これまでダイオードのみSiC製の“ハイブリッド”モジュールは存在したが、SiC製トランジスタは量産が難し...

EH5000は、エンジンで発電機を駆動し、発電機からの電力を絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT)インバーターで制御して走行用モーターを駆動する仕組み。

日昌の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュール筐(きょう)体のインサートモールド成形技術を応用した。

現在主流のシリコン製絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)と比べてスイッチング損失は85%減。100キロヘルツ以上の高周波で動作できるため、定格電流値が数倍のIGBTから...

「絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT)は、ハイブリッド車(HV)などの環境対応車や洗濯機をはじめとする家電製品向けに需要が拡大している。... 13年度にはト...

ルネサスエレクトロニクスは動作に必要な電圧を12―15%低減した第7世代の絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT=写真、一目盛りは1ミリメートル)を開発した。

SiC製のショットキーバリアダイオード(SBD)と酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を搭載しており、機器の小型・高効率化に貢献する。... パワー半導体を...

【京都】ロームは汎用性の高い炭化ケイ素(SiC)製の酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を完成、7月に量産する。... インバーター(逆変換装...

開発したインバーターは同社が開発した、SiCのダイオードとSiの絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT)を組み合わせた、3・3キロボルトのSiCハイブリッドモジュールを採用。

アルミニウムを用いたボンディングは従来の半導体だけにとどまらず、ハイブリッド車(HV)用パワーコントロールユニットの中の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジ...