産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門の入沢寿史特定集中研究専門員らは、東京工業大学、住友化学と共同で、電子の流れやすさを示す電子移動度を従来比2倍に向上させた、新構造のインジウム・ガリウムヒ...

通常は安定なバデライト型の結晶構造だが、準安定なアナターゼ型の結晶構造は、透明伝導膜や光触媒に使われる酸化チタンのアナターゼ型と電子配置が同じで、機能性が期待されている。... 電気特性を調べたところ...

三菱電機は衛星通信地上局用の電力増幅器向けでは業界最高クラスとなる出力電力80ワットの窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(GaN―HEMT)を完成した。

グラフェンは既存の半導体材料であるシリコンに比べ、デバイスの高速化の指標となる電子移動度が理論的に1000倍と予想されている。一方で、電子が存在できない領域(バンドギャップ)がゼロのた...

デバイス高速化の指標となる電子移動度が高く、エネルギーロスのない新しい分子性高速電子デバイスの実現につながる成果になる。米物理学誌フィジカル・レビューB電子版に27日掲載される。 ....

力率を改善するPFC(力率改善回路)用とDC/DC(直流/直流)コンバーター用の2種で、電力損失が少ないGaNの高電子移動度トランジスタ(H...

窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った送受信モジュールで、送受信機能を一つのパッケージに集約できるようにして小型化した。

この知見を基にグラフェンの作製方法を変えれば、デバイスの高速化につながる電子移動度が従来比約4倍に向上する。... さらに、この電荷移動はグラフェンとグラフェンを作製する下地のシリコン酸化膜との間にあ...

熱電変換素子の材料として、廃熱発電装置やマイナス100度C程度まで冷却できるペルチェ式クーラーなどへの応用が見込める。... 室温からマイナス200度Cの低温で、電子移動度はビスマステルルの約10倍だ...

スイッチング性能や消費電力を左右する電子移動度は1ボルト秒当たり10平方メートルで、現在主流であるアモルファスシリコン製TFTの10倍以上優れ、先行するシャープの酸化物半導体「IGZO」(イグ...

GaN製はシリコン製に比べて絶縁破壊電界が大きく、電子移動度が高い。

電子移動度はプラスチック基板での一般的な速度という。 ... 量産に向いたロール・ツー・ロール方式で有機トランジスタを作製できれば安価な電子タグ、大面積のフレキシブルセンサーなどの実...

格子ひずみは、半導体の電子移動度を高くでき、半導体デバイスの高性能化にとって重要な技術だ。

IGZOには電子機器を大きく変える底力がある。 ... 電子移動度がアモルファスシリコンの20―50倍で、TFTの小型化、配線の細線化が可能だ。

IGZOの電子移動度はアモルファスシリコンの20―50倍で、TFTの小型化や配線の細線化が可能となり、パネルの透過率が高まる。... 加工形状が微細になるとテーブルの移動が加速と減速の連続になる。.....

グラフェンは電気伝導度が高く、次世代電子材料として注目されている。トランジスタとして使う場合はバンドギャップを形成する必要があるが、従来法では電子移動度が下がってしまい、効率的にスイッチング動作のでき...

IGZOディスプレーの特徴として電子移動度がアモルファスシリコンの20―50倍と高いことも一つ。... 休止駆動を可能にすることで、タブレット端末やノートパソコンなどで電子書籍を読んだり、メールや写真...

成果は英科学誌ネイチャー電子版に2日掲載される。 ... InGaAsは化合物半導体の中で電子移動度が大きく、高移動度チャンネル(電流の通り道)材料として注目されてい...

窒化ガリの高電子移動度トランジスタ(HEMT)を用いて、10ギガヘルツ(ギガは10億)帯で出力6・3ワットを実現。... 従来のシリコンやガリウムヒ素という半導体材料に...

作成したサンプルは一辺の回路線幅が40ナノメートル(ナノは10億分の1)で、1200平方センチメートルの電子移動度が得られることが分かった。従来は電子ビーム照射で微細な回路を形成してい...