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記事検索結果
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電気自動車(EV)向けの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などで、デバイスの小型化・高効率化に貢献できる。... 一般的なIGBTで使われる絶縁回路基板やリー...
パワー半導体もショットキーバリアーダイオードだけでなく、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)も強化する。
組み立てや検査などの後工程では、長野県などの国内3拠点で自動車用の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールの生産ラインを増設。
同等の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールと比べて、スイッチング損失を約64%削減した。
インバーターに搭載するSiCデバイスや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などを中心にサポートする。... ローム滋賀では金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSF...
ドイツの新拠点で取り扱うのは、インバーターに搭載するSiCパワーデバイスや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)など、車載・産機向けの製品が中心となる。
中村泰三 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や中央演算処理装置(CPU)といった、キー部品の調達を担当する部門で、開発製品に使用される部品の選定や価格...
現在主流のSi―IGBTの高性能化につながる。... Si―IGBTを用いた電力制御システムの高効率化に寄与する。微細化による性能向上の実証により、次世代に向けて、Si―IGBTを引き続き使える見通し...
また自社開発の高耐圧・大電流IGBTパワー半導体を搭載して変換装置の部品数を減らし、設備の小型化と低コスト化を実現する。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のパワー素子に使える。... これまでIGBTやパワーMOSFETの製...
小・中容量のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラートランジスタ)やMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)をマイコンから直接駆動できる。
現在は主に絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などのパワー半導体を担当。... 電池からきた電流をIGBTが組み込まれたインバーターで制御しモーターを動かします。 &#...
第7世代のIGBTを搭載した製品で、17品種を品ぞろえに加える。... 新製品は「IGBTモジュールTシリーズ」に追加する。... 三菱電機は、電力損失とノイズを低減した第7世代IGBTを搭載したパワ...
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の厚みを薄くすることで電気の通りを良くし、従来製品と比べ電力損失を約40%低減した。
新製品は「HVIGBTモジュールXシリーズ=写真」で、同社独自の第7世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とダイオードを搭載し、従来製品と比べ電力損失は約20%...
産業機器分野で、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)パワー半導体からの置き換えを狙う。 ... 製造コストを抑えられ、IGBTパワー半導体と比べ遜色のない製品...
富士電機は5日、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を採用したパワー半導体モジュールの新製品を開発し、サンプル出荷を順次始めたと発表した。... 今回、富士電機が開発したIGB...
