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近未来デバイスへ・半導体開発の新機軸(上)東芝−新型構造ナノワイヤー（2010/6/16）

次世代デバイスの展望を見通す半導体の国際学会「VLSI(超高密度集積回路)シンポジウム2010」が15日、米ホノルル市で開幕した。

ルネサスエレクトロニクス、可変インダクター開発−Q値の劣化半分に（2010/6/16）

米ホノルル市で開催中の半導体の国際学会「VLSI回路シンポジウム」で発表する。

早大など、次世代HD対応の低消費電力ビデオ復号LSI開発（2010/6/15）

16日に「VLSI技術シンポジウム」と同じ米ホノルル市で開幕する「VLSI回路シンポジウム」で発表する。

産総研、22ナノ世代向けフィンFET試作−バラつき半分以下に（2010/6/15）

15日に米ホノルル市で開幕する半導体の国際学会「VLSI技術シンポジウム」で発表する。

富士通など、毎秒40ギガ光伝送システム向けCMOS受信ICを開発（2009/6/17）

「VLSI回路シンポジウム」で16日発表した。

東芝、3次元積層で新構造−フラッシュメモリーを安価に大容量化（2009/6/17）

京都市で開催中の半導体の国際学会「VLSI技術シンポジウム」で16日発表した。

セリート、ゲート絶縁膜CMOS製造に適した熱処理法開発（2009/6/17）

「VLSI技術シンポジウム」で16日発表した。

NECなど、垂直磁化MRAMを開発−500メガの高速動作実現（2009/6/16）

「VLSI技術シンポジウム」で17日発表する。

東工大、0.2ボルト低電源電圧で動作の回路技術開発（2009/6/16）

「VLSI回路シンポジウム」で18日発表する。

日立と米IBM、構造欠陥でしきい値電圧10倍のバラつき（2009/6/16）

「VLSI技術シンポジウム」で同日報告した。

NECエレ、90ナノメートル世代対応のアナログ回路技術開発（2009/6/16）

「VLSI回路シンポジウム」で18日発表する。

東芝、次世代LSI向けトランジスタ絶縁膜の積層技術開発（2009/6/16）

「VLSI技術シンポジウム」で同日報告した。

東大、シリコン基板上にIII―V族の化合物（2009/6/16）

「VLSI技術シンポジウム」で発表する。

セリート、N型トランジスタしきい値のバラつき改善（2009/6/16）

「VLSI技術シンポジウム」で16日に発表する。

東大と産総研、SSD書き込み高速化−強誘電体NANDフラッシュメモリー（2009/6/16）

「VLSI回路シンポジウム」で16日発表する。

NEC、待機電力への影響実証−LSI内シリコン結晶欠陥（2009/6/16）

京都市で開催中の半導体の国際学会「VLSI技術シンポジウム」で17日に発表する。

日立とルネサス、システムLSIの性能を確保する新回路技術を開発（2008/6/17）

半導体の国際学会「VLSI回路シンポジウム」で20日に発表する。

富士通研など、1マイクロ秒以下でLSI電源をオンする回路技術を開発（2008/6/17）

これらは「VLSI回路シンポジウム」で20日に発表する。

富士通研など、32ナノ世代以降LSI向け電極構造作り分け技術を開発（2008/6/17）

「VLSI技術シンポジウム」で19日発表する。

セリート、32ナノ以降の次世代LSIに最適な素子構造を確立（2008/6/17）

米ホノルルで開催中の半導体の国際学会「VLSI技術シンポジウム」で17日に発表する。

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