パナソニックは次世代記憶素子の抵抗変化型メモリー(ReRAM)の動作原理を解明し、書き込んだデータを記憶し続ける性能の劣化を抑える方法を見いだした。... ReRAMは電源を切ってもデ...

候補の一つである次世代不揮発性メモリー「ReRAM」は、米マイクロン・テクノロジーと共同開発中。

最先端のLSIやメモリーなど微細なナノデバイスの故障解析などに応用できる可能性がある。... 数百ナノメートル幅の抵抗変化不揮発性メモリーや、グラフェン電界効果トランジスタ(FET)な...

そのほかの採択課題は村田昌之東京大学大学院教授の「『病態モデル細胞』創成と解析システムの開発」、山口猛央東京工業大学教授の「高効率エネルギー変換型燃料電池の創生」、菅原聡東工大准教授の「不揮発性メモリ...

これらの磁気抵抗効果は、既にハードディスク駆動装置(HDD)の再生磁気ヘッドや不揮発性の磁気抵抗メモリー(MRAM)の記憶素子として実用化されており、磁気記録の発展に大...

大阪大学の笠井秀明教授らは抵抗変化メモリー(ReRAM)の電子の通り道である伝導パスが形成される仕組みを突き止めた。ReRAMの動作の低電力化や耐久性向上を実現でき、実用化に向けた進展...

高感度な磁気センサーや大容量の不揮発性メモリー素子、スピン演算素子などに応用する。... 従来は強磁性体と非磁性体の間でスピンの緩和に対する抵抗値の不整合があり、効率良くスピンを注入することができなか...

経済産業省は新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)を通じ、電源を切っても情報を保持できる記憶素子(不揮発性メモリー)を活用した電力消費が少ないITシステムの基礎...

【仙台】東北大学大学院工学研究科の須藤祐司准教授らのグループは24日、約170度Cの耐熱性を持つ相変化メモリー(PRAM)の新材料を開発したと発表した。既存のPRAM材料と比べ、耐熱性...

省電力の不揮発性メモリー素子などの電子デバイスの開発につながる成果で、英科学誌ネイチャー・マテリアルズ電子版に9日発表した。 ... 省電力の不揮発性メモリー素子などの電子デバイスに応用できる...

エルピーダメモリと東京大学がそれぞれ受託し、9、10月ごろから低消費電力で高速な不揮発性メモリーを開発する。... 開発テーマは、「高速不揮発メモリーの開発」と「不揮発アーキテクチャーの研究開発」。....

FRAMは強誘電膜をデータ保持用キャパシターに用いた不揮発性メモリ。... 新たに発売したのはメモリー容量128キロビットと64キロビットの2製品。... 同社によればFRAM関連市場は2年後に現行比...

不揮発性メモリーに使う強誘電体と半導体を組み合わせて実現。... 電源を切っても記憶を保持する不揮発性のメモリスターを作った。 ... 1971年に米カリフォルニア大学のチュア教授が実現の可能...

富士通は、電源を切っても情報が消えない不揮発性メモリーのMRAMの実用化へ迫る新発想を「技術シンポジウム」で発表した。... 磁界で磁化を反転する現方式に比べて低消費電力で、半導体プロセスと整合性が良...

産業技術総合研究所とシャープ、アルバック、金沢大学の共同チームは18日、電源を切ってもデータが消えない不揮発性の抵抗変化メモリー(RRAM)素子を開発し、8インチウエハー上に128キロ...

産業技術総合研究所は13日、電源を切ってもデータが消えない次世代の不揮発性メモリーであるスピンRAMの大容量化技術を開発したと発表した。... TMR素子で構成するスピンRAMは高速で書き換え耐性に強...

今回、こうした特徴を持つ個々のC60分子に、不揮発のデジタル情報を記録する技術を開発した。 ... 記録した情報は室温で不揮発性を示すという。... ストレージ素子のほかにも、C60分子の結合...

次世代メモリーの前提となる要素を簡単に挙げると、(1)電源を切ってもデータが消えない不揮発性(2)書き込み/読み出しの高速性能(3)大容量化&...

分極性能が高いと、材料表面に蓄積できる電荷密度が大きくなり、不揮発性メモリーの微細化に有利になる。... 強誘電性は、外部から与える電圧の向きに応じて物質の電気分極が反転し、電圧がゼロになっても分極を...

富士通研究所とトロント大学は、次世代不揮発性メモリーとして期待されるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM)で課題だった、誤って書き込みが発生しない読み出し方式を世界で初めて開発し...