日立金属が持つ最先端の窒化ガリウム(GaN)基板技術を取り込むことで、次世代パワー半導体向け材料「GaNオン・シリコンエピウエハ」を15年度中に事業化する。同エピウエハはシリコン基板上...

ノーベル賞の受賞対象になったのは、サファイア基板やシリコン基板上に窒化ガリウム(GaN)系の半導体を積層した青色LEDの技術だ。これに対して中村氏は00年前後、技術的に難しいとされてい...

低コストなシリコン基板上にトンネルFETを形成するプロセスを考案し、素子の電流駆動力を大幅に高めた。

【名古屋】東朋テクノロジー(名古屋市中区、富田英之社長、052・251・7211)は8日、スマートフォンの液晶画面などに使われる半導体基板の検査装置「ステルスFP=写真」の受注...

厚さ150ナノメートル(ナノは10億分の1)の窒化ケイ素窓材がコートされているシリコン基板に、金属との密着性を上げるアルミナ層、チタンと金の2層からなる金属集電体の順に積層膜を作製。....

「今回ノーベル賞が贈られるのは、サファイア基板やシリコン基板を使った青色LEDの技術。... これに対して我々は、修二が開発した窒化ガリウム基板の上に同種の窒化ガリウム系半導体を積層する『GaNonG...

結晶性シリコンは1000度C以上の高温が必要だが、アモルファスシリコンは250度Cで成膜できる。... 添加する水素がシリコン基板表面に留まりつつも、水素とシリコンに反応しやすい温度条件を見いだした。...

東芝はシリコン基板上に窒化ガリウムを結晶成長させる独自技術で白色LEDを手がける。サファイア基板を用いる既存技術に比べ価格を抑えられるという。

結晶シリコン基板受光面の裏側にアモルファスのシリコン層を形成する「ヘテロ接合方式」と、受光面の裏側だけに電極を設ける「バックコンタクト統合構造」を併用する結晶シリコン系太陽電池などに的を絞る。... ...

これまでの技術では、フォトダイオードアレイと読み出し集積回路はインジウムバンプ(突起電極)で接合してきたが、バンプの形状制御が難しく、またシリコン基板と化合物半導体との熱膨張係数の差か...

【低価格アピール】 また白色発光ダイオード(LED)ではシリコン基板上に窒化ガリウムを結晶成長させる独自技術が武器。基板自体が廉価なうえウエハーを大口径化できるため、...

実験では、約5ミリメートル角のシリコン基板上にレジスト(PMMA)を塗布し、電子ビーム描画装置で露光。... その後、レジストを除去すると、溝内部のニッケルと金の金属リボン構造がシリコ...

シリコン基板上に窒化ガリウムを結晶成長させる独自技術で白色LEDを生産する。基板自体が廉価なうえウエハーを大口径化できるため、サファイア基板を用いる既存技術による白色LEDよりも価格を抑えられるという...

現在はシリコン基板にアルミニウムを薄く成膜したチップを使っているが、これを別の酸化物の薄膜チップに切り替えることで1100度Cまで引き上げる。... まずはシリコン基板を安価なガラス基板に置き換えるこ...

CNT成長の触媒になる鉄微粒子をシリコン基板上に高密度で均一に生成する方法が判明した。... シリコン基板でチタン被膜の上に鉄の薄膜を作り、450度Cで炭素を供給して反応させるとCNTが高密度に生成し...

第一精工はスピンコートという手法を用い、液体のPZTをシリコン基板上に成膜する技術を確立する。

東京大学の荒川泰彦教授の研究グループは、世界で初めて量子ドットレーザーを搭載したシリコン光配線基板を開発した。... シリコン光配線基板にはLSIを4個搭載しており、LSIチップ間を光配線で結んでいる...

トランジスタ単体の性能に加えて、一般的なシリコン基板のCMOS回路を上回る回路性能と低消費電力化を目指す。

シリコン基板上にガリウムナイトライド(GaN)結晶を成長させる「GaN On Si(ガン・オン・シリコン)」に対応し、既存の直径200ミリメートル製造ラ...

別の基板で作製したCNTを、配線用基板に作製した直径100ナノ―300ナノメートル(ナノは10億分の1)の小さな穴に転写・挿入して配線化する。... 熱酸化膜付きのシリコン基板上で多層...