露光装置業界の標準的な技術開発計画(ロードマップ)では同32ナノメートルの半導体製造までダブルパターニング技術を用いて、2013年に実用化を予定する同22ナノメートル半導体には極端紫外...

フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー光源の液浸露光装置の引き合いが強い」 ―先端分野に限っては、受注が期待できると言うことでしょうか。 「先端・次世代半導体製造用の...

モバイルRAMの回路形成には、ウエハーとレンズの間を純水で浸すフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置を採用。

製造工程には、フッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置を用いた2回露光(ダブルパターニング)を用いる。

これにより解像度を高め、シリコンウエハー上に形成する回路線幅の微細化を推進する。 ニコンは09年10―12月期に回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)世代半導体製造用に...

半導体回路は微細化が進み、2010年には回路線幅32ナノメートル、2013年には同20ナノメートル台のプロセスを採用した次世代半導体が実用化される見通し。32ナノメートルまでは現行のフッ化アルゴン&#...

ASMLはIMECなどと協力し実用化にめどをつけ、2010年に量産評価機を投入する。 ... この研究開発自体は順調に進んでいるものの、実用化は「09年としていたが、2012年―2013年にな...

3社ともに開発リスク軽減と費用抑制を狙い、45ナノメートルの先端半導体に用いたフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置の現行プラットフォーム(基本構造)を踏襲する。

今後、先端半導体を製造する液浸技術を搭載した露光装置の販売が本格化し、従来以上に技術サポートが重要になることもあり、直販に切り替える。 ... 半導体メーカーは、チップ上の回路線幅に40ナノメ...

線幅32ナノメートル世代の半導体は2010年の実用化に向け開発が進められており09年から対応露光装置の販売競争が本格化する。 ... 露光光源に波長が193ナノメートルのフッ化アルゴン(...

両メモリーともに製造効率化で原価を下げないといけない。... カメラや事務機、光学機器を事業化。... フッ化アルゴン(ArF)ドライ露光装置を今期5台出荷予定。

メーカーは回路微細化と生産効率化で単価を下げる必要がある。DRAMは業界再編が進んで供給過剰が解消されれば、徐々に価格も回復すると思う」 ―先端半導体製造用のフッ化アルゴン(ArF&#...

ニコンは12日、回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した次世代半導体製造用のフッ化アルゴン(ArF)液浸スキャナー「NSR―S620」を09年1...

【フェルトホーフェン(オランダ)=安久井建市】半導体露光装置メーカーが先端・次世代半導体製造に用いるArF(フッ化アルゴン)液浸露光装置(用語参照...

半導体回路をウエハーに焼き付けるフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置(用語参照)の販売が好調だ。... 半導体露光装置も光源にi線やフッ化クリプトン(KrF&#...

エルピーダメモリは次世代DRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)製造に用いるフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置を、オランダのASMLとニコンに発注...

ニコンは6日、熊谷製作所(埼玉県熊谷市)と栃木ニコンプレシジョン(栃木県大田原市)に新棟を建設し、フッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置の生産能力を201...

オランダのASMLはフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にした半導体用の液浸露光装置「TWINSCAN XT1950i」を開発した。... 09年第1四半期には現行の...

回路線幅を一世代微細化すると取れるチップ数が2倍近くに増えるため、四日市市と岩手県北上市に建設する第5・第6製造棟には、研究開発を進めている同30ナノメートルの次世代プロセスを適用。... 量産では半...

ダブルパターニングでは45ナノメートルプロセス品の量産に用いるフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置を使用するため、従来技術を抜本的に変えずに対応できる。 ... 半導体各社が想...