低誘電特性や低熱線膨張性、高耐熱性という性能もあり、次世代パワー半導体などへの応用が期待されている。

増産する「可溶性ブロック共重合ポリイミド」は、ポリイミド樹脂合成時に特殊な触媒作用や材料を組み合わせて、接着性、感光性、ハンダ耐性、低誘電率といった特性を付加した高機能素材。

利昌工業(大阪市北区、利倉晄一社長、06・6345・8331)は高誘電率性と低誘電正接性を同時に実現した、高周波基板用プリント配線板材料(写真)を開発、サンプル出荷を始...

これまでは線幅32ナノメートルから22ナノメートル(ナノは10億分の1)のフォトレジストの開発が中心だったが、今後はフォトレジスト以外の層間絶縁膜や低誘電率材料と呼ばれる半導体材料まで...

空孔率30%、誘電率2・1と低誘電率のフィルムが作製できる。

トランジスタのゲート電極に大電流を流せる「高誘電率ゲート絶縁膜(High―k)」や漏れ(リーク)電流を抑制する「メタルゲート」、トランジスタ配線用の「低誘電率絶縁膜&#...

今後、分解能の1ケタ向上を目指し、LSI製造工程で不良チップの選別に生かすほか、次世代LSIに使う低誘電率膜の解析などに応用を模索する。

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の研究プロジェクトは、LSI内のトランジスタ配線間を電気的に分離するために、多孔質シリコン酸化膜(ポーラスシリカ)を採用し...

フッ素を原料に使い、絶縁膜に求められる低誘電率特性(2・6―2・7)を実現。... 再配線型と呼ぶ垂直式配線に対応し、低誘電率特性など三つの特性を同時に備えている。従来のポリイミド系材...

同鋼板を用いた部品製造は従来の製造設備をそのまま活用でき、低潤滑性、揮発性のプレス油で成形可能。... 【奨励賞/ナミックス‐低誘電率・低誘電正接薄膜フィルム「」ADFLEMA】 低...

誘電率の低い材料を用いた配線技術なども新たに採用した。... トランジスタ構造に採用したのは、大電流を流せる「高誘電率ゲート絶縁膜(High―k)」とリーク電流の抑制効果がある「メタル...

半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、金属ゲートと低誘電率のゲート絶縁膜を使う次世代LSI向け高性能トランジスタを開発した。

《受賞部品》 (各賞とも応募受け付け順) 【部品大賞】 「微細超深穴加工用ドリル『エポックマイクロステップボーラー』」日立ツール 【モノづくり推進会議共...

2022年以降にも実用化が見込まれる低消費電力素子に適用できる。 ... 開発手法は、基板に形成した約0・6ナノメートルのシリコン酸窒化膜に、低誘電率の膜厚0・55ナノメートルのハフニウム酸化...

半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、2013年以降に実用化する22ナノメートル(ナノは10億分の1)世代のL...

NECエレクトロニクスとNECは先端LSI向けに独自開発した低誘電率の膜(MPS膜)を配線間の層間絶縁膜に使い、1ギガヘルツ(ギガは10億)で高速動作する回路で性能を実...

バリアー絶縁膜材料は現在、誘電率約5・5のシリコン炭窒化膜が主流。だが、微細化が進む将来に向け、同4・0以下と低誘電率のシリコン炭酸化膜の導入が検討されていたが、薄膜化に不向きなど課題があった。...

絶縁膜材料「ゼオマック」は、半導体の微細化に対応した新しい低誘電率層間絶縁膜材料。

東芝やNECエレクトロニクスなど半導体製造の民間11社が出資する半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、低誘電率の絶縁膜を使った...

従来と同じ原料ガスを用いながら、新たに低エネルギーの中性粒子ビームを照射することで低誘電率と高い硬度を両立した。... LSIの多層配線間を埋める絶縁膜には、回路の微細化に伴い増大する配線間容量を下げ...