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本体の機械構造に加え、頭脳に当たる数値制御(NC)電源装置、次世代パワー半導体による放電回路、人工知能(AI)などを自社開発し、搭載した。 ... パ...

【名古屋】デンソーは26日、パワー半導体世界大手の独インフィニオンテクノロジーズに出資したと発表した。... 車載向け半導体の調達先であるインフィニオンとの関係を強化し、両社の技術や知見の融合などを進...

パワー半導体はエネルギーの有効活用の観点から次世代の社会インフラ構築に欠かせない。... シリコンに代わる次世代パワー半導体の市場を巡っては、炭化ケイ素(SiC)が実用化で先行する。....

名古屋大学の天野浩教授(写真)らは16日、次世代パワー半導体の材料となる窒化ガリウム(GaN)結晶を高品質に作る製造技術を開発したと発表した。... GaNはパワー半導...

旭硝子、酸化ガリウムウエハー共同開発 VBと20年実用化へ (2018/3/23 素材・ヘルスケア・環境)

旭硝子は22日、パワー半導体材料開発ベンチャーのノベルクリスタルテクノロジー(埼玉県狭山市)に出資したと発表した。... 次世代パワー半導体に使用が見込まれる酸化ガリウムウエハーを共同...

アカネ、銅と黒鉛の複合材を開発−熱伝導率2倍超 (2018/1/15 素材・ヘルスケア・環境)

ハイブリッド自動車(HV)や電車などに使われる次世代パワー半導体の放熱基板としての用途を想定し実用化を進める。 ... HVの電力変換装置(パワーコントロール...

フロスフィアが手がける次世代のコランダム構造Ga2O3製パワー半導体を、2025年以降をめどに電動車のインバーターなどに搭載する。... 高いバンドギャップや絶縁破壊電界が大きいなどの特性から、シリコ...

TDK、高周波用フェライト材料開発 低損失範囲を倍増 (2017/12/7 電機・電子部品・情報・通信2)

半導体や直流(DC)/DCコンバーターの変換に用いる。... 近年、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)などを用いた次世代パワー半導体...

GaNウエハー専用の欠陥検査装置、レーザーテックが受注開始 (2017/12/7 電機・電子部品・情報・通信1)

【横浜】レーザーテックは次世代半導体ウエハーの窒化ガリウム(GaN)ウエハーに特化した欠陥検査/レビュー装置「GALOIS(ガロワ)=写真」を開発し受...

東芝は次世代パワー半導体として期待される窒化ガリウム素子「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」(MOSFET)の実用化につながるプロセス技術を開発した。... シリコンの性能をしのぐ...

パワー半導体新潮流(2)インフィニオン、“日本品質”追求で市場拡大 (2017/11/28 電機・電子部品・情報・通信2)

電気自動車(EV)の普及や炭化ケイ素(SiC)といった次世代パワー半導体の登場により、技術競争やシェア争いは激しくなる見通しだ。... 300ミリメートルウエハーでパワ...

ニュース拡大鏡/前田建設、VB出資加速−すぐれた独自技術発掘 (2017/10/20 建設・エネルギー・生活1)

次世代パワー半導体向けに、スズと銅の金属間化合物粒子を使用した接合材料を量産する。

日立金属、高熱伝導率の基板開発 (2017/10/16 素材・ヘルスケア・環境)

日立金属は電気自動車(EV)などの次世代自動車や鉄道車両などに使うパワーモジュール用に、高い熱伝導率と機械的特性を併せ持つ窒化ケイ素基板を開発し...

電機や自動車、電力設備などで採用が広がるとされる炭化ケイ素(SiC)次世代パワー半導体などで利用できる。 ... 次世代パワー半導体は省エネルギー性能が高い一方、高電...

安永、3D光学式外観検査装置 セラミック基板用 (2017/9/14 電機・電子部品・情報・通信2)

【津】安永は、次世代パワー半導体などに用いられるセラミック基板を高速・高精度に検査できる3次元(3D)光学式外観検査装置「FV203CR=写真」を発売した。... 次世代パワー...

ダイキン、フィルムコンデンサー用新素材開発−電極面積5分の1 (2017/8/23 電機・電子部品・情報・通信1)

ダイキン工業は次世代パワー半導体の周辺部で使うフィルムコンデンサー用の新素材を開発した。... 近年、高温で動作する炭化ケイ素(SiC)基板の次世代パワー半導体が自動車などで採用される...

■アクセスランキング・ベスト10(6/5~6/11) 1位 ニュース拡大鏡/「東芝メモリ」売却交渉、WDに契約違反リス...

次世代パワー半導体材料、酸化ガリウム急浮上−京大発VBがSBD開発 (2017/6/7 電機・電子部品・情報・通信2)

次世代パワー半導体の材料の候補に、酸化ガリウム(Ga2O3)が急浮上している。... 次世代パワー半導体として有力なSiCは、現在主流のシリコンと比べ圧倒的に価格が高い点が普及のネック...

GaN組み込んだ実験用回路、ヘッドスプリングが6月に製品化 (2017/5/23 電機・電子部品・情報・通信2)

同ブロックを組み込むだけでGaNパワーデバイスを試用でき、GaNを搭載した機器の開発スピードを向上できる。... ヘッドスプリングは設計の難しい炭化ケイ素(SiC)を用いた次世代パワー...

次世代パワー半導体の材料として期待される高品質なSiC単結晶の効率的な作製に道を開く。

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