三菱ケミカルと日本製鋼所は、4インチサイズの窒化ガリウム(GaN)結晶(写真)の成長を確認した。両社は新しい低コスト製造技術を用いて、パワー半導体向...

シリコン(Si)や窒化ガリウム(GaN)、炭化ケイ素(SiC)などの半導体ウエハーに対応。... 真空状態で半導体ウエハーの載せ替えを自動化した。......

三桜工業は、窒化ガリウム(GaN)などの次世代パワー半導体基板の受託加工サービスの試験展開を始めた。... GaNと合わせて「難加工基板」と言われる窒化アルミニウム(...

80年代に比べ、アンプの大きさは10分の1程度に小型化。... 巻き線を巻く技術も年々高度化し、高密度の巻き線が可能になった。... 例えば窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(...

第5世代通信(5G)サービスを活用したIoT(モノのインターネット)機器の拡大、自動車の電動化の加速、パワー半導体の量産化・低価格化に対応したパワーエレクトロニクス関連...

半導体は回路微細化や3次元化により構造が複雑化しており、製造工程で「部分的にエッチングできる薬液」や「低温処理でも機能する薬品」などの新しいニーズが増えている。... また長年研究してきた大口径の窒化...

2022年の製品化を目指す。 ... 今後も大口径化に向けた研究を進め、25年に4インチ、30年に8インチウエハーの量産化を目指す。 ダイヤモンドウエハーを用いたパ...

大口径化対応へ積極投資 東洋炭素はシリコン半導体や化合物半導体の製造工程用部材向けに、等方性黒鉛を供給する。... 【2000℃以上】 東洋炭素はシリコンや炭化ケイ...

一方、窒化ガリウム(GaN)は溶液からの結晶化が困難で、工業的には異種基板の上に気相成長させるため、格子定数の不一致などにより多量の転位が入る。 ... 【発光を可視...

【浜松】浜松ホトニクスは7日、次世代パワー半導体材料である窒化ガリウム(GaN)など化合物半導体結晶の品質定量評価装置「ODPL測定装置C15993―01=写真」を開発、8月2...

過酷な条件下で設置される基地局や再生エネ分野の機器は、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などパワー半導体の採用が進む。また、部品の高集積化などで機器内温度が上...

脱炭素化へ社会実装加速 発光ダイオード(LED)照明から空飛ぶ車まで、「次世代半導体素材」として注目を集める窒化ガリウム(GaN)...

パワー半導体向け量産 住友化学は5年後をめどに気相成長(HVPE)法による窒化ガリウム(GaN)単結晶基板の売上高を現在の3倍強の...

【川崎】富士通ゼネラルは15日、窒化ガリウム(GaN)を材料に使った電界効果トランジスタ(FET)の高耐圧チップをドライブ回路とともに内蔵した小型パワーモジュールを、世...

三菱ケミカルなどが大口径の窒化ガリウム(GaN)単結晶基板の量産化にめどを付けたことで、走行中に電気自動車(EV)を非接触充電する次世代EV技術が実...

しかし、国内では自動車分野の電動化の波を追い風に、新しい航空機電動化技術を研さんしている。現在、旅客機を対象としたハイブリッド化技術が検討されており、小型航空機においては窒化ガリウム(GaN&...

三菱ケミカルと日本製鋼所は18日、半導体向けの2、4、6インチの窒化ガリウム(GaN)単結晶基板を生産できる初の量産実証設備を完成したと発表した。 ... 今後、4イ...

岩崎通信機は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体デバイスの評価に適した電流プローブ(探針)「SS―500シリーズ=写真...

【京都】ロームは150ボルト耐圧の窒化ガリウム(GaN)製高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、ゲート端子とソース端子間の定格電圧を業界最高レベルの8ボルトに高める技...

オシロは広帯域化や波形の視認性、操作性の向上が図られてきた。... 岩崎通信機は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワーエレ分野に注力する中、ユーザー要...