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極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストの生産を控えるなど順調に成長しているが、まだまだ飛躍する余地がある。
微細化需要の高まりを背景にEUV(極端紫外線)露光工程の導入拡大が見込まれる一方、EUVは従来の露光方法と比べて回路線幅のばらつきが生じやすいなどの課題がある。
これから半導体産業の成長が期待される国でのシェア獲得と、極端紫外線(EUV)向けへの供給も今後は想定し、研究開発を推し進める。
新機能付与/少量多品種を製造 半導体の超微細加工の光源としてEUV(極端紫外線)レーザーの開発が進むことを前回紹介した。
しかし、EUVでは材料と放射線との反応、つまり放射線物理・化学の領域だ。... 現在、メタルレジストと呼ばれるEUVに高感度な金属元素を含んだ物質をEUV用のレジストとして利用するための研究に取り組ん...
半導体回路の微細化に寄与する極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストなどが好調なJSRは、今後も半導体材料を中心に高成長が続くと見込み、22年3月期連結業績予想を上方修正した。......
25年までに生産台数をEUV露光装置で20年比2倍以上に、DUV(深紫外線)露光装置で同1・5倍以上にそれぞれ増やす。
フォトレジストは極端紫外線(EUV)向けが年内にも量産開始の見通しであるなど、市場環境を踏まえた製品開発で半導体業界の発展を支える。 ... 同社はEUV向...
「現在開発を進めている極端紫外線(EUV)レジストは年内にも量産できるだろう」という。 一方、EUVレジストは同業他社が先行している。
同社は半導体製造初期に用いられた波長436ナノメートル(ナノは10億分の1)のスペクトル線を示すG線から現在の同13・5ナノメートルの極端紫外線(EUV)向けまで、業界...
開発中の極端紫外線(EUV)レジストは2021年内にも量産が始まる見通し。
JSRは極端紫外線(EUV)用メタルレジストに強みを持つ米インプリア(オレゴン州)を買収する。... 19年にEUV用メタルレジストの量産体制を整えた。......
最先端の極端紫外線(EUV)向けでもBARC同様にレジストと基板の間に塗布するEUV下層膜を展開。... 和田部長は「半導体の高性能化とともに、EUVの利用率は伸びていく。
同社はEUVレジスト用ポリマーでも、この強みが生かせると判断。新井工場では21年度、ArF・EUV両レジスト用のポリマーが製造できる新しいパイロット設備を稼働する。EUVレジスト用ポリマーの厳しい品質...
最先端のEUV(極端紫外線)レジスト用モノマーも、レジストメーカーの採用が徐々に拡大している。 ... ArFレジストの需要拡大とEUVレジストの進展を踏まえ、両レジ...
大阪工場では既存建屋に液浸ArFと極端紫外線(EUV)レジストの製造設備を増設し、23年度上期に稼働する。... 住友化学は現在ArFと液浸ArF、EUV用の最先端レジストを大阪工場で...
ADEKAは30日、極端紫外線(EUV)露光向け光酸発生剤の生産能力を従来比2倍以上に引き上げると発表した。... フッ化アルゴン(ArF)液浸露光向けに加え、半導体の...
微細化、EUV向け先行 【レジスト活況】 世界各地で進む半導体増産計画を前に、化学各社は半導体製造プロセス材料の増産投資を活発化している。... AGCはEUV向け...
ArF(フッ化アルゴン)液浸露光向けを中心に販売は好調で、今後は5Gなどの普及で需要増加が見込まれる最先端の極端紫外線(EUV)露光向けを拡販する。
